Das Institut für MBE beschäftigt sich mit neuartigen Entwicklungen für die Si-basierende Mikro- und Nanoelektronik. Die Forschung konzentriert sich auf neue, insbesondere kristalline Materialien sowie Bauelementekonzepte auf Silizium. Dabei wird das Innovationspotential dieser Entwicklungen durch die Herstellung von Prototypen demonstriert.
Schwerpunkte sind:
- Aktuelle Probleme der CMOS-Technologie
- Neue Materialien für zukünftige Technologiegenerationen
- Beiträge zur Entwicklung der "Post-CMOS-Zeit" (alternative Bauelemente-Konzepte, Nanoelektronik)
Das Institut besteht aus den Fachgebieten: