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Logo: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
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Ausstattung

Folgende Ausstattungen stehen am Institut zur Verfügung bzw. können im Laboratorium für Laboratorium für Nano- und Quantenengineering der Leibniz Universität Hannover genutzt werden:

Schicht- und Prozesstechnologie zur Bauelementeherstellung

  • MBE-Anlage (8") mit in vacuo XPS/UPS Kopplung (6-Kammer-System von DCA Instruments)
  • MBE (VG V80, bis zu 6”)
  • MBE (Balzer, bis zu 6’’)
  • PECVD-Anlagen (Niedertemperatur-Gate-Oxide, Nitride, TEOS-Oxide)
  • Kurzzeittemper- und Oxidationsanlagen (RTA, RTO)
  • verschiedene Oxidations-/ Diffusionsofenanlagen
  • LPCVD Anlage (dotiertes Poly-Silizium, Si-Nitrid, Niedertemperatur-Oxide)
  • Ionenimplantation für runde Wafer bis 300 mm Durchmesser, auch Solar, As, P, B, 5-60 keV (VARIAN VIISta HCS)
  • Kathodenzerstäubungs- und Elektronenstrahlverdampfungsanlagen: Metalle, Silizide und Isolatoren
  • Reaktive Ionenätzanlagen (SF6, CHF3, O2, Ar, Cl2, BCl3) und Nasschemie (selektive Ätzverfahren)
  • Fotolithographie, Maskaligner (bis 0,8 µm)
  • E-Beam-Lithographie (Strukturbreite bis 50 nm)

 Strukturelle Analytik

  • Röntgendiffraktomer/reflektometer (D8 Discover Bruker AXS)
  • Rasterelektronenmikroskop (SEM)
  • Transmissionselektronenmikroskop (TEM)
  • Rasterkraftmikroskop (AFM)
  • Ramanspektroskopie
  • Spektrales Ellipsometer
  • Photoelektronenspektroskopie (XPS und UPS)

 Messtechnik

  • Rechnergesteuerte I(V)-, C(V)-, C(t)-, RTS- und Charge-Pumping-Messplätze zur Charakterisierung von Halbleitermaterialien und Bauelementen
  • Tieftemperaturmessplatz für temperaturabhängige Messungen von 400 bis 77 K
  • Quasi-statische Fotoleitfähigkeitsmessung (QSSPC)