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Publikationen des Institutes für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Journal

  • A. Nanwani, R. S. Pokharia, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra (2022): Improvement of crystal quality and surface morphology of Ge/Gd_2 O_3 /Si(111) epitaxial layers by cyclic annealing and regrowthJournal of Physics D: Applied Physics 55 (2022) 115302
    DOI: 10.1088/1361-6463/ac3f0d
  • G. Wetzel, L. Salomon, J. Krügener, D. Bredemeier, R. Peibst (2022): High time resolution measurement of solar irradiance onto driving car body for vehicle integrated photovoltaicsProgress in Photovoltaics 30 (2022) 543
    DOI: 10.1002/pip.3526
  • K. Ghosh, A. Dhara, S. Dhara, A. Fissel, H.-J. Osten, A. R. Chaudhuri (2022): Integration of MoSe2 Monolayers with Epitaxial High-Κ Gd2O3 Substrate: Implication for High-Quality Emission and Modulation of Excitonic QuasiparticlesACS Applied Nano Materials (2022)
    DOI: 10.1021/acsanm.2c01767
  • M. Fırat, L. Wouters, P. Lagrain, F. Haase, J.-I. Polzin, A. Chaudhary, G. Nogay, T. Desrues, J. Krügener, R. Peibst, L. Tous, H. S. Radhakrishnan, J. Poortmans (2022): Local Enhancement of Dopant Diffusion from Polycrystalline Silicon Passivating ContactsACS Applied Materials & Interfaces 14 (2022) 17975
    DOI: 10.1021/acsami.2c01801
  • R. Peibst, M. Rienäcker, Y. Larionova, N. Folchert, F. Haase, C. Hollemann, S. Wolter, J. Krügener, P. Bayerl, J. Bayer, M. Dzinnik, R.J. Haug, R. Brendel (2022): Towards 28 %-efficient Si single-junction solar cells with better passivating POLO junctions and photonic crystalsSolar Energy Materials and Solar Cells 111560 (2022)
    DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111560
  • Y. Liu, S. Ma, M. Rosebrock, P. Rusch, Y. Barnscheidt, C. Wu, P. Nan, F. Bettels, Z. Lin, T. Li, B. Ge, N. C. Bigall, H. Pfnür, F. Ding, C. Zhang, L. Zhang (2022): Tungsten Nanoparticles Accelerate Polysulfides Conversion: A Viable Route toward Stable Room-Temperature Sodium–Sulfur BatteriesAdvanced Science (2022) 210554
    DOI: 10.1002/advs.202105544
  • Z. Yang, J. Krügener, F. Feldmann, J.-I. Polzin, B. Steinhauser, T. T. Le, D. Macdonald, A. Liu (2022): Impurity Gettering in Polycrystalline-Silicon Based Passivating Contacts—The Role of Oxide Stoichiometry and PinholesAdvanced Energy Materials 2103773 (2022)
    DOI: 10.1002/aenm.20210377
  • A. Rawat, K. K. Roluahpuia, P. Gribisch, H.-J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra, U. Ganguly (2021): Epitaxial Ge-Gd2O3 on Si(111) substrate by sputtering for germanium-on-insulator applicationsThin Solid Films 731 (2021) 138732
    DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138732
  • B. Min, N. Wehmeier, T. Brendemühl, F. Haase, Y. Larionova, L. Naseband, H. SChulte-Huxel, R. Peibst, R. Brendel (2021): 716 mV Open-Circuit Voltage with Fully Screen-Printed p-Type Back Junction Solar Cells Featuring an Aluminum Front Grid and a Passivating Polysilicon on Oxide Contact at the Rear SideSolar RRL 5 (2021) 2000703
    DOI: 10.1002/solr.202000703
  • C. Hollemann, M. Rienäcker, A. Soeriyadi, C. Madumelu, F. Haase, J. Krügener, B. Hallam, R. Brendel, R. Peibst (2021): Firing stability of tube furnace-annealed n-type poly-Si on oxide junctionsaccepted in Progress in Photovoltaics (2021)
    DOI: 10.1002/pip.3459
  • C. N. Kruse, S. Schäfer, F. Haase, V. Mertens, H. SChulte-Huxel, B. Lim, B. Min, T. Dullweber, R. Peibst, R. Brendel (2021): Simulation-based roadmap for the integration of poly-silicon on oxide contacts into screen-printed crystalline silicon solar cellsScientific Reports 11 (2021) 996
    DOI: 10.1038/s41598-020-79591-6
  • F. Haase, B. Min, C. Hollemann, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2021): Fully screen-printed silicon solar cells with local Al-p+ and n-type POLO interdigitated back contacts with a VOC of 716 mV and an efficiency of 23%Progress in Photovoltaics: Research and Applications 29 (2021) 516
    DOI: 10.1002/pip.3399
  • J. Krügener, M. Rienäcker, S. Schäfer, M. Sanchez, S. Wolter, R. Brendel, S. John, H. J. Osten, R. Peibst (2021): Photonic crystals for highly efficient silicon single junction solar cellsSolar Energy Materials and Solar Cells 233 (2021) 111337
    DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111337
  • P. Bayerl, N. Folchert, J. Reyer, M. Dzinnik, C. Hollemann, R. Brendel, R. Peibst, R. J. Haug (2021): Contacting a single nanometer‐sized pinhole in the interfacial oxide of a poly‐silicon on oxide (POLO) solar cell junctionaccepted in Progress in Photovoltaics Research and Applications 2021
    DOI: 10.1002/pip.3417
  • P. Gribisch, A. Fissel (2021): Formation of self-assembled Gd2O3 nanowire-like structures during epitaxial growth on Si(001)RSC Advances 11 (2021) 17526-17536
    DOI: 10.1039/d1ra00476j
  • P. Gribisch, A. Fissel (2021): Interfacial layer formation during the growth of Gd2O3 on Si(001) and its thermal stability Semiconductor Science and Technology 36(11) (2021) 115016Semiconductor Science and Technology 36(11) (2021) 115016
    DOI: 10.1088/1361-6641/ac2962
  • R. Peibst, H. Fischer, M. Brunner, A. Schießl, S. Wöhe, R. Wecker, F. Haase, H. Schulte-Huxel, S. Blankemeyer, M. Köntges, C. Hollemann, R. Brendel, G. Wetzel, J. Krügener, H. Nonnenmacher, H. Mehlich, A. Salavei, K. Ding, A. Lambertz, B. Pieters, S. Janke, B. Stannowski, L. Korte (2021): Demonstration of feeding VIPV‐converted energy into the high‐voltage on‐board network of practical light commercial vehicles for range extensionSolar RRL (2021) 2100516
    DOI: 10.1002/solr.202100516
  • R. Sarkar, B. B. Upadhyay, S. Bhunia, R. S. Pokharia, D. Nag, S. Surapaneni, J. Lemettinen, S. Suihkonen, P. Gribisch, H.-J. Osten, S. Ganguly, D. Saha, A. Laha (2021): Epi-Gd₂O₃-MOSHEMT: A Potential Solution Toward Leveraging the Application of AlGaN/GaN/Si HEMT With Improved ION/IOFF Operating at 473 KIEEE Transactions on Electron Devices 68 (2021) 2653
    DOI: 10.1109/TED.2021.3070838
  • S. Schäfer, A. Mercker, A. Köhler, T. Neubert, L. Mettner, B. Wolpensinger, V. Mertens, R. Peibst (2021): Role of oxygen in the UV-ps laser triggered amorphization of poly-Si for Si solar cells with local passivated contactsJournal of Applied Physics 129 (2021) 133103
    DOI: 10.1063/5.0045829
  • Y. Liu, Y. Barnscheidt, M. Peng, F. Bettels, T. Li, T. He, F. Ding, L. Zhang (2021): A Biomass-Based Integral Approach Enables Li-S Full Pouch Cells with Exceptional Power Density and Energy DensityAdvanced Science 8 (2021) 2101182
    DOI: 10.1002/advs.202101182
  • A. Joseph, G. Lilienkamp, T. F. Wietler, H. J. Osten (2020): Ion-Implanted Epitaxially Grown Gd2O3 on Silicon with Improved Electrical PropertiesJournal of Electronic Materials 49 (2020) 6270
    DOI: 10.1007/s11664-020-08392-4
  • B. Min, N. Wehmeier, T. Brendemühl, A. Merkle, F. Haase, L. Naseband, H. Schulte-Huxel, R. Peibst, R. Brendel (2020): A 22.3% Efficient p-Type Back Junction Solar Cell with an Al-Printed Front-Side Grid and a Passivating n+-Type Polysilicon on Oxide Contact at the Rear SideSolar RRL 4 (2020) 2000435
    DOI: 10.1002/solr.202000435
  • C. Hollemann, F. Haase, M. Rienäcker, V. Barnscheidt, J. Krügener, N. Folchert, R. Brendel, S. Richter, S. Großer, E. Sauter, J. Hübner, M. Oestreich, R. Peibst (2020): Separating the two polarities of the POLO contacts of an 26.1%-efficient IBC solar cellScientific Reports 10 (2020) 658
    DOI: 10.1038/s41598-019-57310-0
  • E. L. Warren, W. E. McMahon, M. Rienäcker, K. T. VanSant, R. C. Whitehead, R. Peibst, A. C. Tamboli (2020): A Taxonomy for Three-Terminal Tandem Solar CellsACS Energy LEtters 5 (2020) 1233
    DOI: 10.1021/acsenergylett.0c00068
  • G. M. Wilson, M. Al-Jassim, W. K. Metzger, S. W. Glunz, P. Verlinden, G. Xiong, L. M. Mansfield, B. J. Stanbery, K. Zhu, Y. Yan, J. J. Berry, A. J. Ptak, F. Dimroth, B. M. Kayes, A. C. Tamboli, R. Peibst, K. Catchpole, M. O. Reese, C. S. Klinga, P. Denholm, M. Morjaria, M. G. Deceglie, J. M. Freeman, M. A. Mikofski, D. C. Jordan, G. TamizhMani, D. B. Sulas-Kern (2020): The 2020 photovoltaic technologies roadmapJournal of Physics D Applied Physics 53 (2020) 493001
    DOI: 10.1088/1361-6463/ab9c6a
  • H. Genath, J. Schmidt, H. J. Osten (2020): Analysis of thin germanium-rich SiGe layers on Si(111) substrates grown by carbon-mediated epitaxyJournal of Crystal Growth 535 (2020) 125569
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125569
  • I. M. Hossain, Y. J. Donie, R. Schmager, M. S. Abdelkhalik, M. Rienäcker, T. F. Wietler, R. Peibst, A. Karabanov, J. A. Schwenzer, S. Moghadamzadeh, U. Lemmer, B. S. Richards, G. Gomard, U. W. Paetzold (2020): Nanostructured Front Electrodes for Perovskite/c-Si Tandem PhotovoltaicsOptics Express 28 (2020) 8878
    DOI: 10.1364/OE.382253
  • M. Winter, S. Bordhin, R. Peibst, R. Brendel, J. Schmidt (2020): Degradation and Regeneration of n+-Doped Poly-Si Surface Passivation on p-Type and n-Type Cz-Si Under Illumination and Dark AnnealingIEEE Journal of Photovoltaics 10 (2020) 423
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2020.2964987
  • M. Winter, S. Bordhin, R. Peibst, R. Brendel, J. Schmidt (2020): Degradation and Regeneration of n+-Doped Poly-Si Surface Passivation on p-Type and n-Type Cz-Si Under Illumination and Dark AnnealingIEEE Journal of Photovoltaics 10-2 (2020) 423
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2020.2964987
  • N. Folchert, R. Peibst, R. Brendel (2020): Modeling recombination and contact resistance of poly‐Si junctionsProgress in Photovoltaics: Research and Applications 2020
    DOI: 10.1002/pip.3327
  • P. Gribisch, A. Fissel (2020): Tuning of structural and dielectric properties of Gd2O3 grown on Si(001)Journal of Applied Physics 128 (2020) 055108
    DOI: 10.1063/5.0007793
  • S. Gharibzadeh, I. M. Hossain, P. Fassl, B. Abdollahi Nejand, T. Abzieher, M. Schultes, E. Ahlswede, P. Jackson, M. Powalla, S. Schäfer, M. Rienäcker, T. Wietler, R. Peibst, U. Lemmer, B. S. Richards, U. W. Paetzold (2020): 2D/3D Heterostructure for Semitransparent Perovskite Solar Cells with Engineered Bandgap Enables Efficiencies Exceeding 25% in Four‐Terminal Tandems with Silicon and CIGSAdvanced Functional Materials 30 (2020) 1909919
    DOI: 10.1002/adfm.201909919
  • T. Dullweber, M. Stöhr, C. Kruse, F. Haase, M. Rudolph, B. Beier, P. Jäger, V. Mertens, R. Peibst, R. Brendel (2020): Evolutionary PERC+ solar cell efficiency projection towards 24% evaluating shadow-mask-deposited poly-Si fingers below the Ag front contact as next improvement stepSolar Energy Materials and Solar Cells 212 (2020) 110586
    DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110586
  • Y. Barnscheidt, J. Schmidt, H. J. Osten (2020): Grazing-incidence X-ray diffraction investigation of the coincidence site lattice of the Ge/Si(001) systemJournal of Applied Crystallography 53 (2020) 1212
    DOI: 10.1107/S1600576720009255
  • Y. Barnscheidt, M. Franck, H. J. Osten (2020): Paving the way to dislocation reductionin Ge/Si(001) heteroepitaxy using C-based strained layer superlatticesJournal of Applied Physics 128 (2020) 095703
    DOI: 10.1063/5.0004352
  • Y. Larionova, H. Schulte-Huxel, B. Min, S. Schäfer, T. Kluge, H. Mehlich, R. Brendel, R. Peibst (2020): Ultra‐Thin Poly‐Si Layers: Passivation Quality, Utilization of Charge Carriers Generated in the Poly‐Si and Application on Screen‐Printed Double‐Side Contacted POLO‐CellsSolar RRL 4 (2020) 2000177
    DOI: 10.1002/solr.202000177
  • A. Fissel (2019): THERMODYNAMICS AND KINETICS OF NANOCLUSTER FORMATION ON SEMICONDUCTOR SURFACES: THE EXAMPLE OF SI GROWTH ON SIC(0001)Journal of International Scientific Publications: Materials,Methods & Technologies 13 (2019) 1 (https://www.scientific-publications.net/en/article/1001874/)
  • A. Fissel, A. R. Chaudhuri, J. Krügener, H. J. Osten (2019): Corrigendum to “Influence of (7×7)–“1×1” phase transition on step-free area formation inmolecular beam epitaxial growth of Si on Si(111)”Journal of Crystal Growth 524 (2019) 125155
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125155
  • C. Hollemann, F. Haase, S. Schäfer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2019): 26.1 %-efficient POLO-IBC cells: Quantification of further efficiency improvementsProgress in Photovoltaics: Research and Applications 27 (2019) 950
    DOI: 10.1002/pip.3098
  • G. Wetzel, J. Krügener, R. Peibst, A. Dietrich, B. Nacke, H. J. Osten (2019): Simulation of solar cell performance based on in the field measured ambience parametersAIP Conference Proceedings 2147 (2019) 020020
    DOI: 10.1063/1.5123825
  • L. M. Montañez, I. Strauß, J. Caro, H. J. Osten (2019): Impact of border traps in ultrathin metal-organic framework Cu3(BTC)2 based capacitorsMicroporous and Mesoporous Materials 277 (2019) 136
    DOI: 10.1016/j.micromeso.2018.10.029
  • M. Rienäcker, E. L. Warren, M. Schnabel, H. Schulte-Huxel, R. Niepelt, R. Brendel, P. Stradins, A. C. Tamboli, R. Peibst (2019): Back‐contacted bottom cells with three terminals: Maximizing power extraction from current‐mismatched tandem cellsProgress in Photovoltaics: Research and Applications (2019) 1
    DOI: 10.1002/pip.3107
  • P. Gribisch, A. Roy Chaudhuri, A. Fissel (2019): Growth and Dielectric Properties of Monoclinic Gd2O3 on Si(001)ECS Transactions 3 (2019) 57
    DOI: 10.1149/09301.0057ecst
  • P. Gribisch, J. Schmidt, H.-J. Osten, A. Fissel (2019): Influence of nanostructure formation on the crystal structure and morphology of epitaxially grown Gd2O3 on Si(001)Acta Crystallographica Section B75 (2019) 59
    DOI: 10.1107/S2052520618017869
  • R. Peibst, C. Kruse, S. Schäfer, V. Mertens, S. Bordhin, T. Dullweber, F. Haase, C. Hollemann, B. Lim, B. Min, R. Niepelt, H. Schulte-Huxel, R. Brendel (2019): For none, one, or two polarities—How do POLO junctions fit best into industrial Si solar cells?Progress in Photovoltaics Research and Applications 28 (2019) 503
    DOI: 10.1002/pip.3201
  • R. S. Pokharia, K. R. Khiangte, J. S. Rathore, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra (2019): Metal semiconductor metal photodiodes based on all-epitaxial Ge-on-insulator-on- Si(111), grown by molecular beam epitaxyProc. SPIE 10914, Optical Components and Materials XVI, 1091417
    DOI: 10.1117/12.2509720
  • R. Sarkar, S. Bhunia, D. Nag, B. C. Barik, K. Das Gupta, D. Saha, S. Ganguly, A. Laha, J. Lemettinen, C. Kauppinen, I. Kim, S. Suihkonen, P. Gribisch, H.-J. Osten (2019): Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power applicationApplied Physics Letter 115 (2019) 063502
    DOI: 10.1063/1.5109861
  • S. Schäfer, F. Haase, C. Hollemann J. Hensen, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2019): 26%-efficient and 2cm narrow interdigitated back contact silicon solar cells with passivated slits on two edgesSolar Energy Materials & Solar Cells 200 (2019) 110021
    DOI: 10.1016/j.solmat.2019.110021
  • F. Haase, C. Hollemann, S. Schäfer, A. Merkle, M. Rienäcker, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2018): Laser contact openings for local poly-Si-metal contacts enabling 26.1%-efficient POLO-IBC solar cellsSolar Energy Materials & Solar Cells 186 (2018) 184
    DOI: 10.1016/j.solmat.2018.06.020
  • F. Haase, S. Schäfer, C. Klamt, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2018): Perimeter Recombination of 25 %-Efficient IBC Solar Cells With Passivating POLO Contacts for Both PolaritiesIEEE Journal of Photovoltaics 8 (2018) 23
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2017.2762592
  • H. S. Laine, V. Vähänissi, Z. Liu, E. Magana, J. Krügener, A. E. Morishige, K. Salo, B. Lai, H. Salvin, D. P. Fenning (2018): Elucidation of Iron Gettering Mechanisms in Boron-Implanted Silicon Solar CellsIEEE Journal of Photovoltaics 8 (2018) 79
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2017.2775159
  • J. Schmidt, D. Tetzlaff, T.F. Wietler, H. J. Osten (2018): Carbon-mediated epitaxy of SiGe virtual substrates on Si(001)Semiconductor Science and Technology 33 (2018) 114002
    DOI: 10.1088/1361-6641/aadffc
  • K. R. Khiangte, J. S. Rathore, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra (2018): Wafer-scale all-epitaxial GeSn-on-insulator on Si(111) by molecular beam epitaxyJournal of Physics D: Applied Physics 51 (2018) 32LT01
    DOI: 10.1088/1361-6463/aad176
  • K. R. Khiangte, J. S. Rathore, S. Das, R. S. Pokharia, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra (2018): Molecular beam epitaxy and defect structure of Ge (111)/epi-Gd2O3 (111)/Si (111) heterostructuresJournal of Applied Physics 124 (2018) 065704
    DOI: 10.1063/1.5020026
  • L. M. Montanez, K. Müller, L. Heinke, H. J. Osten (2018): Integration of thin film of metal-organic frameworks in metal-insulator-semiconductor capacitor structuresMicroporous and Mesoporous Materials 265 (2018) 185
    DOI: 10.1016/j.micromeso.2018.02.018
  • L. Montañez, J. A. Tofflinger, R. Grieseler, P. Fischer, A. Ben-Or, J. A. Guerra, R. Weingartner. H. J. Osten, A. Kribus (2018): Structural, optical, and interface properties of sputtered AlN thin films under different hydrogen dilution conditionsmaterials today: Proceedings 5 (2018) 14765
    DOI: 10.1016/j.matpr.2018.03.066
  • R. Peibst, L. Larionova, S. Reiter, T. Wietler, N. Orlowski, S. Schäfer, B. Min, M. Stratmann, D. Tetzlaff, J. Krügener, U. Höhne, J.-D. Kähler, H. Mehlich, S. Frigge, R. Brendel (2018): Building blocks for industrial, screen-printed double-side contacted POLO cells with highly transparent ZnO:Al layersIEEE Journal of Photovoltaics 8 (2018) 719
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2018.2813427
  • T. F. Wietler, B. Min, S. Reiter, Y. Larionova, R. Reineke-Koch, F. Heinemeyer, R. Brendel, A. Feldhoff, J. Krügener, D. Tetzlaff, and R. Peibst (2018): High temperature annealing of ZnO:Al on passivating POLO junctions: Impact on transparency, conductivity, junction passivation and interface stabilityIEEE Journal of Photovoltaics 9 (2018) 89
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2018.2878337
  • Y. Barnscheidt, J. Schmidt, G. Wetzel, D. Tetzlaff, T.F. Wietler, H.J. Osten (2018): Highly boron-doped germanium layers on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxySemiconductor Science and Technology 33 (2018) 104006
    DOI: 10.1088/1361-6641/aade69
  • A. R. Chaudhuri, A. Fissel, H. J. Osten (2017): Epitaxial lanthanide oxide thin films on Si for high-k gate dielectric application: Growth optimization and defect passivationJournal of Materials Research 32 (2017) 699
    DOI: 10.1557/jmr.2017.22
  • B. Min, J. Krügener, M. Müller, K. Bothe, R. Brendel (2017): Fundamental Consideration about Junction Formation Strategies for Phosphorus-doped Emitters with J0e < 10 fA/cm²Energy Procedia 124 (2017) 126
    DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.323
  • D. Tetzlaff, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, F. Haase, R. Brendel, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. F. Wietler (2017): A Simple Method for Pinhole Detection in Carrier Selective POLO-Junctions for High Efficiency Silicon Solar CellsSolar Energy Materials & Solar Cells 173 (2017) 106
    DOI: 10.1016/j.solmat.2017.05.041
  • D. Tetzlaff, M. Dzinnik, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. F. Wietler (2017): Introducing Pinhole Magnification by Selective Etching: Application to Poly-Si on Ultra-Thin Silicon Oxide FilmsEnergy Procedia 124 (2017) 435
    DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.270
  • F. Haase, F. Kiefer, S. Schäfer, C. Kruse, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2017): Interdigitated back contact solar cells with polycrystalline silicon on oxide passivating contacts for both polaritiesJapanese Journal of Applied Physics 56 (2017) 08MB15
    DOI: 10.7567/JJAP.56.08MB15
  • J. Krügener, F. Haase, M. Rienäcker, R. Brendel, R. Peibst, H.-J. Osten (2017): Improvement of the SRH Bulk Lifetime upon Formation of n-Type POLO Junctions for 25% Efficient Si Solar CellsSolar Energy Materials & Solar Cells 173 (2017) 85
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    ISBN: 978-3-540-31914-6
  • G. Krause, M. F. Beug, R. Ferretti, S. Prasad, K. R. Hofmann (2006): High-Field Degradation of Poly-Si Gate p-MOS and n-MOS Devices with Nitrided OxidesIEEE Transactions: Device and Materials Reliability 6 (2006) 473
    DOI: 10.1109/TDMR.2006.881459
  • G. Krause, M. F. Beug, T. Müller, T. Mikolajick, K. R. Hofmann (2006): 1/f Noise Analysis of a 75 nm Twin-Flash Technology Non-Volatile Memory CellProceedings of the 7th Non-Volatile Memory Technology Symposium (2006) 12
    DOI: 10.1109/NVMT.2006.378867
  • H. D. B. Gottlob, T. Echtermeyer, M. Schmidt, T. Mollenhauer, J. K. Efavi, T. Wahlbrink, M. C. Lemme, M. Czernohorsky, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten, H. Kurz (2006): 0.86 nm CET Gate Stacks with Epitaxial Gd2O3 High-K Dielectrics and FUSI NiSi Metal ElectrodesIEEE Electron Device Letters 27 (2006) 814
    DOI: 10.1109/LED.2006.882581
  • H. D. B. Gottlob, T. Echtermeyer, T. Mollenhauer, J. Efavi, M. Schmidt, T. Wahlbrink, M. C. Lemme, H. Kurz, M. Czernohorsky, E. Bugiel, H.-J. Osten, A. Fissel (2006): CMOS Integration of Epitaxial Gd2O3 High-K Gate DielectricsSolid State Electronics 50 (2006) 979
    DOI: 10.1016/j.sse.2006.04.018
  • H. D. B. Gottlob, T. Echtermeyer, T. Mollenhauer, M. Schmidt, J. K. Efavi, T. Wahlbrink, M. C. Lemme, H. Kurz, R. Endres, Y. Stefanov, U. Schwalke, M. Czernohorsky, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2006): Approaches to CMOS integration of epitaxial gadolinium oxide high-K dielectricsProceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (2006) 150
    DOI: 10.1109/ESSDER.2006.307660
  • H.-J. Osten (2006): Auf dem Weg zur NanoelektronikTele Kommunikation Aktuell 07-12 (2006)
  • H.-J. Osten, A. Fissel, O. Kirfel, Z. Elassar, E. Bugiel, M. Czernohorsky (2006): Interface formation during epitaxial growth of binary metal oxides on siliconNano-Electronic Semiconductor Devices: Defects in High-k Gate Dielectric Stacks, Editor E. Gusev, Springer Netherlands (2006) 361
    DOI: 10.1007/1-4020-4367-8_29
    ISSN: 978-1-4020-4365-9
  • H.-J. Osten, M. Czernohorsky, E. Bugiel, D. Kuehne, A. Fissel (2006): Interface Engineering During Epitaxial Growth of High-K Lanthanide Oxides on SiliconMRS Proceedings 917: Gate Stack Scaling - Materials Selection, Role of Interfaces, and Reliability Implications, Editors: R. Jammy, A. Shanware, V. Misra, Y. Tsunashima, S. DeGendt (2006) 0917-E10-04
    DOI: 10.1557/PROC-0917-E10-04
  • J. Wollschläger, C. Deiter, M. Bierkandt, A. Gerdes, M. Bäumer, C. R. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2006): Homogeneous Si Films on CaF2/Si(111) due to Boron Enhanced Solid Phase EpitaxySurface Science 600 (2006) 3637
    DOI: 10.1016/j.susc.2005.12.071
  • M. Czernohorsky, A. Fissel, E. Bugiel, O.Kirfel, H.-J. Osten (2006): Impact of Oxygen Supply during Growth on the Electrical Properties of Crystalline Gd2O3 Thin Films on Si(001)Applied Physics Letters 88 (2006) 152905
    DOI: 10.1063/1.2194227
  • S. Zollner, V. Vartanian, J. P. Liu, P. Zaumseil, H.-J. Osten, A. A. Demkov, B.-Y. Nguyen (2006): Optical properties, elasto-optical effects, and critical-point parameters of biaxially stressed Si1-yCy alloys on Si (001)Proceedings of the 3rd IEEE International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) (2006) 1
    DOI: 10.1109/ISTDM.2006.246604
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2006): Residual strain in Ge films grown by surfactant-mediated epitaxy on Si(111) and Si(001) substratesMaterials Science in Semiconductor Processing 9 (2006) 659
    DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.014
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2006): Surfactant Mediated Epitaxy of High-Quality Low-Doped Relaxed Germanium Films on Silicon (001)Thin Solid Films 508 (2006) 6
    DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.410
  • A. Fissel (2005): Molecular Beam Epitaxy of Semiconductor Nanostructures Based on SiCMaterials Science Forum 483 (2005) 163
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.163
  • A. Fissel, C. Wang, E. Bugiel, H.J. Osten (2005): Epitaxial growth of non-cubic siliconMicroelectronics Journal 36 (2005) 506
    DOI: 10.1016/j.mejo.2005.02.064
  • E. Bugiel, H. J. Osten, A. Fissel, O. Kirfel, M. Czernohorsky (2005): TEM investigations of epitaxial high-k dielectrics on siliconSpringer Proceedings in Physics 107 (2005) 343
    DOI: 10.1007/3-540-31915-8_73
  • H.-J. Osten (2005): Carbon-doping of SiGeSilicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy, Editor J. D. Cressler, CRC Press (2005)
    ISBN: 978-1-4200-2658-0
  • H.J. Osten, E. Bugiel, O. Kirfel, M. Czernohorsky, A. Fissel (2005): MBE growth and properties of epitaxial metal oxides for high-k dielectricsJournal of Crystal Growth 278 (2005) 18
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.12.051
  • M. F. Beug, R. Ferretti, K. R. Hofmann (2005): Polarity dependent generation of gate-side and substrate-side border traps in nitrided gate oxidesMicroelectronic Engineering 80 (2005) 444
    DOI: 10.1016/j.mee.2005.04.104
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2005): Surfactant Mediated Epitaxy of Relaxed Low-Doped Ge Films on Si(001) with Low Defect DensitiesApplied Physics Letters 87 (2005) 182102
    DOI: 10.1063/1.2120900
  • H.J. Osten, J. Dabrowski, H.-J. Müssig, A. Fissel, V. Zavodinsky (2004): High-K dielectrics: the example of Pr2O3, Challenges in Process Simulation(ed.J. Dabrowski and E.R. Weber, Springer Verlag 2004), pp. 259-293
    DOI: 10.1007/978-3-662-09432-7_7
  • A. Fissel (2003): Artificially layered heteropolytypic Structures based on SiC Polytypes: Molecular Beam Epitaxy, Characterization and PropertiesPhysics Reports 379 (2003) 149
    DOI: 10.1016/S0370-1573(02)00632-4
  • A. Fissel, H.J. Osten, E. Bugiel (2003): Towards understanding epitaxial growth of alternative high-k dielectrics on Si(001): Application to praseodymium oxideJournal of Vacuum Science and Technology B 21 (2003) 1765
    DOI: 10.1116/1.1589516
  • A. Fissel, J. Dabrowski (2003): Si Adsorption on SiC(0001) SurfacesSurface Review and Letters 10 (2003) 849
    DOI: 10.1142/S0218625X03005645
  • F. Bechstedt, A. Fissel, J. Furthmüller, U. Kaiser, H.-C. Weisker, W. Wesch (2003): Quantum structures in SiCApplied Surface Science 212-213 (2003) 820
    DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00068-0
  • H.J. Osten, E. Bugiel, A. Fissel (2003): Epitaxial Praseodymium Oxide: A New High-K DielectricMaterial Research Society Symposium Proceeding 744 (2003) 15
    DOI: 10.1557/PROC-744-M1.5
  • H.J. Osten, E. Bugiel, A. Fissel (2003): Epitaxial praseodymium oxide: a new high-k dielectricSolid-State Electronics 47 (2003) 2165
    DOI: 10.1016/S0038-1101(03)00190-4
  • A. Fissel (2002): About heteropolytypic Structures: Molecular beam epitaxy, characterization and properties of Silicon CarbideRecent Research Developments in Materials Science and Engineering 1; Transworld Research Network, Fort P.O., Trivandrum, Kerala, India, 2002, pp. 277-327
    ISBN: 978-8178950570
  • A. Fissel, J. Dabrowski, H.J. Osten (2002): Photoemission and ab initio theoretical study of interface and film formation during epitaxial growth and annealing of praseodymium oxide on Si(001)Journal of Applied Physics 91 (2002) 8986
    DOI: 10.1063/1.1471943
  • F. Bechstedt, A. Fissel, U. Grossner, U. Kaiser, H.-C. Weisker, W. Wesch (2002): Towards quantum structures in SiCMaterials Science Forum 389-393 (2002) 737
    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.737
  • U. Kaiser, Th. Kups, A. Fissel, W. Richter (2002): Structure of SiC quantum wells studied by TEM and CBEDCrystal Research and Technology 37 (2002) 466
    DOI: 10.1002/1521-4079(200205)37:5<466::AID-CRAT466>3.0.CO;2-I

Konferenzbeitrag

  • (2022): Analysis of thin Ge-rich SiGe layers on Si(111)International Conference on the Physics of Semiconductors 2022 (icps2022), Sydney, Australien, 27.-30.06.2022
  • G. Wetzel, J. Krügener, B. Stannowski, S. Janke, R. Peibst (2021): Transient Electrical Characteristics of Hetero Junction Solar Cells under Fast Transient Illumination11th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (11th SiliconPV), online event, 19. - 23.04.2021
  • G. Wetzel, J. Krügener, R. Peibst (2021): From basic studies of transient shading effects to test drives with a PV-equipped light commercial vehicle38th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (38th EUPVSEC), online event, 06. - 10.09.2021
  • H. Genath, Y. Barnscheidt, H. J. Osten (2021): Epitaxy of Gd2O3 layers on virtual SiGe substrates on Si(111)German MBE Workshop 2021, online event, 14. - 15.10.2021
  • J. Krügener, M. Rienäcker, S. Schäfer, M. Sanchez, S. Wolter, R. Brendel, S. John, H.-J. Osten, R. Peibst (2021): Towards 28 % Efficient Si Single Junction Solar Cells with Photonic Crystals11th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (11th SiliconPV), online event, 19. - 23.04.2021
  • J. Norberg, H. Genath, H. J. Osten (2021): Investigation of the temperature stability of germanium-rich SiGe layers on Si(111) substratesGerman MBE Workshop 2021, online event, 14. - 15.10.2021
  • M. Rienäcker, Y. Larionova, J. Krügener, S. Wolter, R. Brendel, R. Peibst (2021): Rear side dielectrics on interdigitating p + -(i)-n + back-contact solar cells - hydrogenation vs. charge effects38th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (38th EUPVSEC), online event, 26. 30.09.2021
  • R. Peibst, H. Fischer, M. Brunner, A. Schiessel, S. Wöhe, R. Wecker, F. Haase, H. Schulte-Huxel, S. Blankemeyer, M. Köntges, C. Hollemann, R. Brendel, G. Wetzel, J. Krügener, H. Nonnenmacher, H. Mehlich, A. Salavei, K. Ding, A. Lambertz, B. Pieters, S. Janke, B. Stannowski, L. Korte (2021): Demonstration of feeding VIPV converted energy into the high voltage on board network of practical light commercial vehicles for range extension38th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (38th EUPVSEC), online event, 06. - 10.09.2021
  • G. Wetzel, J. Krügener, R. Peibst (2020): For VIPV applications: Investigation of transient shading with high time resolution under different environmental conditions30th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30), Jeju, South Korea, 08.-13.11.2020
  • J. Krügener, G. Wetzel, C. Hollemann, F. Haase, R. Peibst, H.-J. Osten (2020): Optimization of Doping Profiles in IBC pin Layout using Poly-Si-based Passivating Contacts30th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30), Jeju, South Korea, 08.-13.11.2020
  • A. Fissel (2019): Thermodynamics and kinetics of nanocluster formation on semiconductor surfaces21st International Conference on Materials, Methods and Technologies, Burgas, Bulgaria, 01.-05.07.2019.
  • A. Fissel (invited) (2019): Thermodynamics and kinetics of nanocluster formation on semiconductor surfaces: the example of Si on SiC(0001)XXth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2019), Kolkata, India, 17. - 20.12.2019
  • F. Haase, C. Hollemann, S. Schäfer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2019): Transferring the record p-type Si POLO-IBC cell technology towards an industrial level46th Photovoltaic Specialists Conference (46th IEEE PVSC), Chicago, USA, 16. - 22.06.2019
  • G. Wetzel, J. Krügener, R. Peibst, A. Dietrich, B. Nacke, H. J. Osten (2019): Simulation of solar cell performance based on in the field measured ambience parameters9th International Conference on Silicon Photovoltaics (9th SiliconPV), Leuven, Belgium, 08. - 10.04.2019
  • H. Genath, J. Schmidt, H.J. Osten (2019): Carbon-mediated Epitaxy of Germanium-rich SiGe Layers on Si(111) SubstratesNQE Nanoday 2019, Hannover, Germany, 10.10.2016
  • J. Krügener, F. Haase, C. Hollemann, H.-J. Osten, R. Peibst (2019): Dopant diffusion through pinholes and continuous oxide layers in n-type polysilicon on oxide (POLO) passivating contacts29th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29), Xi'an, China, 04.-08.11.2019
  • J. Krügener, F. Haase, C. Hollemann, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, H.-J. Osten (2019): Surface passivation of in situ doped n-type polysilicon on oxide (POLO) layers for silicon solar cells29th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29), Xi'an, China, 04.-08.11.2019
    DOI: 10.13140/RG.2.2.23832.75529
  • P. Gribisch, A. Fissel (2019): Tuning of morphology and crystal structure of Gd2O3 grown on Si(001)XXth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2019), Kolkata, India, 17.-20.12.2019
  • P. Gribisch, A. R. Chaudhuri, A. Fissel (2019): Growth and dielectric properties of monoclinic Gd2O3 on Si(001)2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference, Madison, USA, 02.-06.06.2019
    DOI: 10.1149/09301.0057ecst
  • S. Schäfer, F. Haase, C. Hollemann, J. Hensen, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2019): 26%-Efficient and 2 cm Narrow Interdigitated Back Contact Silicon Solar Cells with Passivated Slits on Two Edges9th International Conference on Silicon Photovoltaics (9th SiliconPV), Leuven, Belgium, 08.-10.04.2019
  • Y. Barnscheidt, H. J. Osten (2019): Carbon-Modified-Germanium-Epitaxy: Filtering Threading Dislocations with Carbon Delta Layers2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference, Madison, USA, 02.-06.06.2019
  • Y. Barnscheidt, J. Schmidt, and H. J. Osten (2019): Grazing Incidence X-Ray Diffraction Analysis of the Periodic Dislocation Network of Ge/Si Heterostructures2019 International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology for Nanoelectronics (FCMN), Monterey, USA, 02.-04.04.2019
    DOI: 10.1149/09301.0067ecst
  • A. Grimm, J. Ruhkopf, E. Bugiel, T. Wietler (2018): Epitaxial Gd2O3 as surface domain indicator: Towards single domain Ge films grown on Si by surfactant-mediated epitaxyGerman MBE Workshop 2018, Freiburg, Germany, 11.-12.10.2018
  • C. Klamt, V. Krausse, M. Rienäcker, F. Haase, J. Krügener, N. Folchert, R. Brendel, R. Peibst (2018): Intrinsic poly-crystalline silicon region in between the p+ and n+ POLO contacts of an 26.1%-efficient IBC solar cell35th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (35th EU PVSEC), Brussels, Belgium, 24.-28.09.2018
  • F. Haase, C. Klamt, S. Schäfer, A. Merkle, M. Rienäcker, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2018): Laser Contact Openings for Local Poly-Si-Metal Contacts8th International Conference on Silicon Photovoltaics (8th SiliconPV), Lausanne, Switzerland, 19.-21.03.2018
  • J. Krügener (2018): The way towards high efficiency silicon-based solar cellsIEEE Bombay Section, Indian Institute of Technolgoy Bombay, Mumbai, Indien, 8. November 2018
  • J. Krügener, F. Haase, R. Peibst, H. J. Osten (invited) (2018): Ion implantation for photovoltaic applications: Review and outlook for silicon solar cells12th Ion Implantation and other Applications of Ions and Electrons 2018 (ION2018), Kazimierz Dolny, Poland, 18.-21.06.2018
  • J. Krügener, F. Kiefer, R. Peibst, H. J. Osten (2018): Ion implantation of As, B, P, BF and BF2 on planar and alkaline-textured Si(001) surfaces for photovoltaic applications22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), Würzburg, Germany, 16.-21.09.2018
    DOI: 10.1109/IIT.2018.8807962
  • J. Schmidt, D. Tetzlaff, T. F. Wietler, H. J. Osten (2018): Carbon-mediated epitaxy of SiGe virtual substrates on Si(001)1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference, Potsdam, Germany, 27.-31.05.2018
  • K. R. Khiangte, J. S. Rathore, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra (2018): Molecular beam epitaxy of wafer-scale all-epitaxial GeSn-on-insulator on Si(111)20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018) Shanghai, China, 02.-07.09.2018
  • L. Montañez, I. Strauß, J. Caro, H. J. Osten (2018): Effect of interface states in thin films of metal organic frameworks obtained by the spray-coating methodXXVIII. International Conference on Organometallic Chemistry (ICOMC2018), Florence, Italy, 15-20.07.2018
  • L. Montañez, I. Strauß, J. Caro, H.J. Osten (2018): Impact of border traps in p-Si/Cu3(BTC)2/Al based MIS capacitorsEMN Meeting on Metal-Organic Frameworks, Barcelona, Spain, 10.-14.09.2018
  • P. Gribisch, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Fissel (2018): Influence of Gd2O3 nanostructure formation on crystal structure and surface morphology during growth on Si(001)German MBE Workshop 2018, Freiburg, Germany, 11.-12.10.2018
  • R. Peibst, N. Folchert, F. Haase, C. Klamt, Y. Larionova, J. Krügener, A. Merkle, B. Min, M. Rienäcker, U. Römer, S. Schäfer, D. Tetzlaff, T. Wietler, R. Brendel (invited) (2018): In-depth Study of poly-Si/Oxide/c-Si Junctions and p+ poly-Si/n+ Poly-Si Tunneling Junctions for Applications in Si Single Junction and Si-Based Tandem CellsMRS Fall Metting 2018, Boston, USA, 25.-30.11.2018
  • T. Wietler, D. Tetzlaff, A. Feldhoff, Y. Larionova, M. Turcu, S. Reiter, B. Min, R. Brendel, R. Peibst (2018): Formation of a Resistive SiOx Layer at the Interface of Poly-Si to Aluminum-Doped Zinc Oxide8th International Conference on Silicon Photovoltaics (8th SiliconPV), Lausanne, Switzerland, 19.-21.03.2018
  • Y. Barnscheidt, J. Schmidt, G. Wetzel, D. Tetzlaff, T. Wietler, H. J. Osten (2018): Highly Boron Doped Germanium grown by Carbon-Mediated-Epitaxy1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference, Potsdam, Germany, 27.-31.05.2018
  • Y. Barnscheidt, J. Schmidt, G. Wetzel, D. Tetzlaff, T.F. Wietler, H. J. Osten (2018): Highly boron-doped germanium layers on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxySummer school on defects in semiconductors, Gent, Belgium, 10.-14.09.2018
  • Y. Barnscheidt, J. Schmidt, G. Wetzel, D. Tetzlaff, T.F. Wietler, H. J. Osten (2018): Ultra-high boron-doped Ge grown by carbon-mediated epitaxyGerman MBE Workshop 2018, Freiburg, Germany, 11.-12.10.2018
  • D. Tetzlaff, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, F. Haase, R. Brendel, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. F. Wietler (2017): A Simple Method for Pinhole Detection in Carrier Selective POLO-Junctions for High Efficiency Silicon Solar Cells7th International Conference on Silicon Photovoltaics (7th SiliconPV), Freiburg, Germany, 03.-05.04.2017
  • D. Tetzlaff, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, F. Haase, R. Brendel, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. Wietler (2017): Junction Unchained - Pinhole Detection in Carrier-Selective POLO-JunctionsLNQE Nanoday 2017, Hannover, Germany, 28.09.2017
  • D. Tetzlaff, M. Dzinnik, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. F. Wietler (2017): Introducing Pinhole Magnification by Selective Etching: Application to Poly-Si on Ultra-Thin Silicon Oxide Films7th International Conference on Silicon Photovoltaics (7th SiliconPV), Freiburg, Germany, 03.-05.04.2017
  • D. Tetzlaff, M. Dzinnik, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, U. Höhne, J.-d. Kähler, T. Wietler (2017): Tetramethylammoniumhydroxide - Pinhole Magnification by Selective EtchingLNQE Nanoday 2017, Hannover, Germany, 28.09.2017
  • F. Haase, S. Schäfer, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2017): Perimeter recombination of 25 %-efficient IBC solar cells with passivating POLO contacts for both polarities44th Photovoltaic Specialists Conference (44th IEEE PVSC), Washington, D.C., USA, 22.-30.06.2017
  • H. S. Laine, V. Vähänissi, Z. Liu, E. Magana, A. E. Morishige, J. Krügener, K. Salo, B. Lai, H. Salvin, D. P. Fenning (2017): Toward Effective Gettering in Boron-Implanted Silicon Solar Cells44th Photovoltaic Specialists Conference (44th IEEE PVSC), Washington, D.C., USA, 22.-30.06.2017
  • H. S. Laine, V. Vähänissi, Z. Liu, E. Magaña, J. Krügener, A. E. Morishige, K. Salo, B. Lai, H. Savin and D. P. Fenning (2017): Unified model for iron gettering in boron- and phosphorus-implanted siliconGettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology 2017 (GADEST2017), Lopota Resort, Georgia, 01.-06.10.2017
  • J. Krügener, F. Haase, M. Rienäcker, R. Brendel, R. Peibst, H. J. Osten (2017): Improvement of the SRH Bulk Lifetime upon Formation of n-Type POLO Junctions for 25% Efficient Si Solar CellsLNQE Nanoday 2017, Hannover, Germany, 28.09.2017
  • J. Krügener, F. Haase, M. Rienäcker, R. Brendel, R. Peibst, H.-J. Osten (2017): Improvement of the SRH Bulk Lifetime upon Formation of n-Type POLO Junctions for 25% Efficient Si Solar Cells7th International Conference on Silicon Photovoltaics (7th SiliconPV), Freiburg, Germany, 03.-05.04.2017
  • J. Schmidt, D. Tetzlaff, H. J. Osten (2017): Carbon-mediated epitaxy of SiGe virtual substrates on Si(001)Austrian MBE Workshop 2017, Vienna, Austria, 28.-29.09.2017
  • L. M. Montanez Huaman, I. Strauß, J. Caro, H. J. Osten (2017): Application of thin Cu3(BTC)2 films in MOS devices2nd European Conference on Metal Organic Frameworks and Porous Polymers, Delft, The Netherlands, 29.10.-01.11.2017
  • L. Montañez, I. Strauß, J. Caro, H. J. Osten (2017): Electronic properties of Cu3(BTC)2 based MOS capacitorsLNQE Nanoday 2017, Hannover, Germany, 28.09.2017
  • R. Peibst, S. Reiter, Y. Larionova, R.-R. Koch, R. Brendel, D. Tetzlaff, J. Krügener, T. Wietler, U. Höhne, J.-D. Kähler, H. Mehlich (2017): Building blocks for industrial, screen-printed two sides-contacted POLO cells with highly transparent ZnO:Al layers33rd European PV Solar Energy Conference and Exhibition (33rd EU PVSEC), Amsterdam, The Netherlands, 25.-29.09.2017
  • S. Schäfer, F. Haase, C. Klamt, C. Kruse, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2017): IBC solar cells with passivating POLO contacts for both polarities – revisiting optical losses8th workshop on back contact solar cell and module technology, Freiburg, Germany, 21.-22.11.2017
  • A. Fissel, J. Krügener, P. Gribisch, S. Herbers, A. R. Chaudhuri (invited) (2016): Si twinning superlattices on atomically flat mesas: Epitaxial growth and electrical characterization2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research (CC3DMR), Incheon/Seoul, South Korea, 20.-24.06.2016
  • A. Joseph, D. Tetzlaff, J. Schmidt, R. Böttger, T.F. Wietler, H.J. Osten (2016): Properties of high-dose nitrogen implanted epitaxially grown Gd2O3 on siliconEMN Meeting on Epitaxy, Budapest, Hungary, 04.-08.09.2016
  • A. Joseph, D. Tetzlaff, J. Schmidt, R. Böttger, T.F. Wietler, H.J. Osten (2016): Properties of high-dose nitrogen implanted epitaxially grown Gd2O3 on siliconDeutscher MBE-Workshop, Garching, Germany, 13.-14.10.2016
  • D. Muñoz, P.J. Ribeyron, S. Harrison, C. Allebé, A. Descoeudres, M. Despeisse, C. Reichel, S.W. Glunz, R. Peibst, A. Merkle, O. Nielsen, I. Martín, V. Mihailetchi, T. Söderström, B. Demaurex, S. de Wolf, H. Mehlich, J. Zhao, J. Alvarez, J. Dupuis, E. Macron, B. de Gier, M. Tallián, F. Korsós, L. Korte (2016): Status of the EU FP7 HERCULES Project: What Is the Potential of n-Type Silicon Solar Cells in Europe?32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition (32nd EU PVSEC), Munich, Germany, 20.-24.06.2016
    DOI: 10.4229/EUPVSEC20162016-2BO.3.6
  • D. Tetzlaff, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. Wietler (2016): Evolution of Oxide Disruptions: The (W)hole Story About Passivating Contacts43rd Photovoltaic Specialists Conference (43rd IEEE PVSC), Portland, OR, USA, 05.-10.06.2016
    DOI: 10.1109/PVSC.2016.7749582
  • D. Tetzlaff, J. Krügener, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, U. Höhne, J.-D. Kähler, T. Wietler (2016): Finding Pinholes in Carrier Selective Polycrystalline Si / Crystalline Si Contacts16th European Microscopy Conference, Lyon, france, 28.08.-02.09.2016
  • F. Haase, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2016): IBC solar cells with polycrystalline on oxide (POLO) passivating contacts for both polarities26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26), Singapore, 24.-28.10.2016
  • H. Genath, J. Schmidt, D. Tetzlaff, K. Gosh, A. Laha, and H.J. Osten (2016): Epitaxy of Gd2O3 Layers on Virtual GaN SubstratesLNQE Nanoday 2016, Hannover, Germany, 29.09.2016
  • H. Schulte-Huxel, F. Kiefer, S. Blankemeyer, R. Witteck, M. Vogt, M. Köntges, R. Brendel, J. Krügener, R. Peibst (2016): Flip-Flop Cell Interconnection Enabled by an Extremely High Bifaciality of Screen-Printed Ion Implanted N-PERT Si Solar Cells32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition (32nd EU PVSEC), Munich, Germany, 20.-24.06.2016
  • J. Krügener, D. Tetzlaff, Y. Larionova, Y. Barnscheidt, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, J.-D. Kähler, T. Wietler (2016): Electrical deactivation of boron in p+-poly/SiOx/crystalline silicon passivating contacts for silicon solar cells21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), Tainan, Taiwan, 26.-30.09.2016
    DOI: 10.1109/IIT.2016.7882868
  • J. Krügener, F. Kiefer, M. Rienäcker, F. Haase, R. Peibst, H.J. Osten (2016): Ion implantation for photovoltaic applications: Review and outlook for n-type silicon solar cells21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), Tainan, Taiwan, 26.-30.09.2016
    DOI: 10.1109/IIT.2016.7882886
  • J. Krügener, F. Kiefer, R. Peibst, H.J. Osten (2016): Comparison of experimental emitter saturation current densities and simulated defect densities of boron-implanted emitters21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), Tainan, Taiwan, 26.-30.09.2016
    DOI: 10.1109/IIT.2016.7882856
  • J. Krügener, Y. Larionova, B. Wolpensinger, D. Tetzlaff, S. Reiter, M. Turcu, R. Peibst, J.-D. Kähler, T. Wietler (2016): Dopant diffusion from p+-poly-Si into c-Si during thermal annealing43rd Photovoltaic Specialists Conference (43rd IEEE PVSC), Portland, OR, USA, 05.-10.06.2016
    DOI: 10.1109/PVSC.2016.7750083
  • J. Schmidt, M. Eilert, S. Peters, T. F. Wietler (2016): Characterization of Thin Si1-xGex Layers on Si(001) by Spectroscopic Ellipsometry for Ge Fractions from 0 to 100%7th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, Berlin, Germany, 06.-10.06.2016
  • J.-D. Kähler, U. Höhne, J.J. Haase, D. Tetzlaff, J. Krügener, T. Wietler, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Brendel, R. Peibst (2016): Low pressure chemical vapour deposition for in situ doped n+ POLO junctions in industrial silicon solar cells26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26), Singapore, 24.-28.10.2016
  • L. Montañez, J. A. Tofflinger, R. Grieseler, P. Fischer, A. Ben-Or, J. A. Guerra, R. Weingartner. H. J. Osten, A. Kribus (2016): Structural, optical, and interface properties of sputtered AlN thin films under different hydrogen dilution conditionsExtended Defects in Semiconductors (EDS 2016), Les Issambres, France, 25.-29.09.2016
  • M. Rienäcker, A. Merkle, U. Römer, H. Kohlenberg, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2016): Recombination behavior of photolithography-free back junction back contact solar cells with carrier-selective polysilicon on oxide junctions for both polarities6th International Conference on Silicon Photovoltaics (6th SiliconPV), Chambéry, France, 07.-09.03.2016
  • M. Rienäcker, M. Bossmeyer, A. Merkle, U. Römer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2016): Junction Resistivity of Carrier-Selective Polycrystalline / Crystalline Silicon Junctions and Its Impact on the Solar Cell Performance43rd Photovoltaic Specialists Conference (43rd IEEE PVSC), Portland, OR, USA, 05.-10.06.2016
  • R. Brendel, M. Rienäcker, R. Peibst (2016): A Quantitative Measure for the Carrier Selectivity of Contacts to Solar Cells32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition (32nd EU PVSEC), Munich, Germany, 20.-24.06.2016
    DOI: 10.4229/EUPVSEC20162016-2CO.4.1
  • R. Peibst, U. Römer, Y. Larionova, M. Rienäcker, A. Merkle, N. Folchert, S. Reiter, M. Turcu, B. Min, J. Krügener, D. Tetzlaff, E. Bugiel, T. Wietler, R. Brendel (2016): Working Principle of Carrier Selective Poly-Si/c-Si Junctions: Is Tunneling the Whole Story?6th International Conference on Silicon Photovoltaics (6th SiliconPV), Chambéry, France, 07.-09.03.2016
  • R. Peibst, Y. Larionova, S. Reiter, M. Turcu, R. Brendel, D. Tetzlaff, J. Krügener, T. Wietler, U. Höhne, J.-D. Kähler, H. Mehlich, S. Frigge (2016): Implementation of n+ and p+ poly-Si/c-Si junctions on front and rear side of double-side contacted industrial silicon solar cells32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition (32nd EU PVSEC), Munich, Germany, 20.-24.06.2016
    DOI: 10.4229/EUPVSEC20162016-2BO.3.2
  • S. Reiter, N. Koper, R. Reineke-Koch, Y. Larionova, M. Turcu, J. Krügener, D. Tetzlaff, T. Wietler, U. Höhne, J.-D. Kähler, R. Brendel, R. Peibst (2016): Parasitic Absorption In Polycrystalline Si-Layers For Carrier-Selective Front Junctions6th International Conference on Silicon Photovoltaics (6th SiliconPV), Chambéry, France, 07.-09.03.2016
  • Y. Larionova, R. Peibst, M. Turcu, S. Reiter, R. Brendel, D. Tetzlaff, J. Krügener, T. Wietler, U. Höhne, J.-D. Kähler (2016): Optimization of p+ poly-Si / c-Si junctions on wet-chemically grown interfacial oxides and on different wafer morphologies32nd European PV Solar Energy Conference and Exhibition (32nd EU PVSEC), Munich, Germany, 20.-24.06.2016
    DOI: 10.4229/EUPVSEC20162016-2CO.4.3
  • A. Grimm, A. Fissel, E. Bugiel, H. J. Osten and T. F. Wietler (2015): In situ observation of low temperature growth of Ge on Si(111) via RHEEDInternational Workshop on SPA-LEED, Hannover, Germany, 28.05.-29.05.2015
  • A. Grimm, A. Fissel, E. Bugiel, H. J. Osten und T. F. Wietler (keynote talk) (2015): In situ observation of low temperature growth of Ge on Si(111) via RHEEDFifth european conference on crystal growth (eccg5), Bologna, Italy, 09.-11.09.2015
  • A. Grimm, A. Katiyar, S. K. Ray, H. J. Osten and T. F. Wietler (2015): Room Temperature Photoluminescence of Strained Ge-layersEngineering of Functional Interfaces (EnFI), Hannover, Germany, 06.-07.07.2015
  • A. Grimm, L. C. Kähler, and T. F. Wietler (2015): Surface preparation of virtual Germanium substrates on Si(001)Deutscher MBE-Workshop, Paderborn, Germany, 21.-22.09.2015
  • A. Grimm, L. C. Kähler, T. F. Wietler (2015): Surface preparation of virtual Germanium substrates on Si(001)LNQE Nanoday 2015, Hannover, Germany, 01.10.2015
  • A. R. Chaudhuri (invited) (2015): Tuning dielectric properties of epitaxial Lanthanide oxides on Si by defect passivationMaterials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, USA, 29.11.-04.12.2015
  • A. R. Chaudhuri, H. J. Osten und A. Fissel (2015): Impact of boron on the step-free area formation during molecular beam epitaxial growth on MESA structures on Si(111)Fifth european conference on crystal growth (eccg5), Bologna, Italy, 09.-11.09.2015
  • A.Fissel (invited) (2015): Thermodynamics and kinetics of nanocluster formation on semiconductor surfacesCollaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015), Hong Kong, China, 14.-17.12.2015
  • E. Köhnen, J. Krügener, and H.J. Osten (2015): Surface passivation of ion implanted, Al2O3-passivated p+ emittersLNQE Nanoday 2015, Hannover, Germany, 01.10.2015
  • J. Krügener, R. Peibst, E. Bugiel, D. Tetzlaff, F. Kiefer, M. Jestremski, R. Brendel, H.-J. Osten (2015): Ion Implantation of Boric Molecules for Silicon Solar Cells5th International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics (5th SiliconPV), Konstanz, Germany, 23.03.-25.03.2015
  • J. Schmidt, D. Tetzlaff, E. Bugiel and T. F. Wietler (2015): Strained Ge layers on virtual Si1-xGex(001) substratesEngineering of Functional Interfaces (EnFI), Hannover, Germany, 06.07.-07.06.2015
  • J. Schmidt, D. Tetzlaff, E. Bugiel, and T. F. Wietler (2015): Strained Ge layers on virtual Si1-xGex(001) substratesFifth european conference on crystal growth (eccg5), Bologna, Italy, 09.-11.09.2015
  • J. Schmidt, M. Eilert and T. F. Wietler (2015): Characterization of Si1-xGex layers on Si(001) substrates by spectroscopic ellipsometryLNQE Nanoday 2015, Hannover, Germany, 01.10.2015
  • J. Werner, S.-J. Moon, P. Löper, A. Walter, M. Filipic, C.-H. Weng, L. Löfgren, J. Bailat, M. Topic, M. Morales Masis, R. Peibst, R. Brendel, S. Nicolay, S. de Wolf, B. Niesen, C. Ballif (2015): Towards ultra-high efficient photovoltaics with perovskite/crystalline silicon tandem devices31st European PV Solar Energy Conference and Exhibition (31st EU PVSEC), Hamburg, Germany, 14.-18.09.2015
    DOI: 10.4229/EUPVSEC20152015-1AP.1.3
  • M. Eberstein, K. Reinhardt, S. Körner, F. Kiefer, R. Peibst (2015): Glass phase alignment in front side pastes for P- and N-type solar cellsSemiconductor Technology International Conference (CSTIC), Shanghai, China, 15.-16.03.2015
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  • M. Möllers, C. Margenfeld, D. Schwendt, E. Bugiel, T. F. Wietler, and H. J. Osten (2015): Non-cubic Gd2O3 on Silicon (111) SubstratesLNQE Nanoday 2015, Hannover, Germany, 01.10.2015
  • M. Möllers, C. Margenfeld, D. Schwendt, E. Bugiel, T. F. Wietler, and H. J. Osten (2015): Non-cubic Gd2O3 on Silicon (111) SubstratesDeutscher MBE-Workshop, Paderborn, Germany, 21.-22.09.2015
  • R. Brendel, T. Dullweber, R. Peibst, C. Kranz, A. Merkle, D. Walter (2015): Breakdown of the Efficiency Gap to 29% Based on Experimental Input Data and Modelling31st European PV Solar Energy Conference and Exhibition (31st EU PVSEC), Hamburg, Germany, 14.-18.09.2015
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  • T. Dullweber, C. Kranz, R. Peibst, U. Baumann, H. Hannebauer, A. Fülle, S. Steckemetz, T. Weber, M. Kutzer, M. Müller, G. Fischer, P. Palinginis, D. H. Neuhaus (2015): The PERC+ Cell: a 21%-Efficient Industrial Bifacial PERC Solar Cell31st European PV Solar Energy Conference and Exhibition (31st EU PVSEC), Hamburg, Germany, 14.-18.09.2015
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  • A. Fissel (invited) (2014): Impact of Surface Phase Coexistence on the Development of Step-free Areas on Si(111)Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2014), Phuket, Thailand, 04.-07.11.2014
  • A. Fissel, A. R. Chaudhuri, J. Krügener, H.-J. Osten (2014): Influence of “1×1” – (7×7) phase transition on step-free area formation in molecular beam epitaxial growth of Si on Si(111)18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2014), Flagstaff, Arizona, USA, 07.-12.09.2014
  • A. Grimm, A. Katiyar, S. K. Ray, H.-J. Osten, T. F. Wietler (2014): Room Temperature PL of strained Ge-layersNanoDay 2014, Hannover, Germany, 01.10.2014
  • A. Laha, A. Fissel, H.-J. Osten (2014): Semiconductor/Oxide Heterostructures on Silicon for Future Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Devices and BeyondEuropean Workshop on Heterostructure Technology - HETECH 2014, Giessen, Germany, 12.-15.10.2014
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  • A. R. Chaudhuri, A. Fissel, H.-J. Osten (2014): Template assisted growth and dielectric properties of Gd2O3 thin films on Si(100)E-MRS 2014 Spring Meeting, Lille, France, 26.-30.05.2014
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  • D. Tetzlaff (2014): Influence of growth temperature on strain relaxation of thin Ge films on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxyDeutscher MBE-Workshop, Darmstadt, Germany, 15.-16.09.2014
  • F. Kiefer, R. Peibst, T. Ohrdes, J. Krügener, H.-J. Osten, R. Brendel (2014): Emitter Recombination Current Densities of Boron Emitters with Silver/Aluminum Pastes40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-40), Denver, Colorado, 08.-13.06.2014
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  • H.-J. Osten (invited), D. Schwendt, A. R. Chaudhuri, A. Fissel, P. Shekhter, M. Eizenberg (2014): Tuning Dielectric Properties of Epitaxial Lanthanide Oxides on Silicon225th Electrochemical Society Meeting, Orlando, Florida, USA, 11.-15.05.2014
  • J. Krügener (2014): Structural investigations of textured silicon after ion implantation52. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation, Dresden, Germany, 13.11.2014
  • J. Krügener, E. Bugiel, R. Peibst, F. Kiefer, T. Ohrdes, R. Brendel, H.-J. Osten (2014): Structural Investigation of Ion Implantation of Boron on Random Pyramid Textured Si(100) for Photovoltaic Applications20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), Portland, Oregon, USA, 26.06.-04.07.2014
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  • J. Krügener, R. Peibst, E. Bugiel, F. Kiefer, R. Brendel, H.J. Osten (2014): Ion implantation of elemental boron and boric molecules for silicon solar cellsLNQE Nanoday 2014, Hannover, Germany, 01.10.2014
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  • J. Schmidt, M. Möllers, D. Tetzlaff, E. Bugiel, T. F. Wietler (2014): Defect analysis of virtual SME-SiGe substrates on Si(001) by transmission electron microscopyNanoDay 2014, Hannover, Germany, 01.10.2014
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  • K. Katiyar, A. Grimm, A. Rakesh, R. Bar, T. Wietler, H.-J. Osten, S. K. Ray (2014): Optical Emission Characteristics of Compressively Strained Ge FilmsPhotonics 2014: 12th International Conference on Fiber Optics and Photonics, Kharagpur, India, 13.-16.12.2014
  • K. Takhar, M. Biswas, D. Tetzlaff, T. Wietler, H.-J. Osten, A. Laha (2014): Monolithic integration of high performance germanium (Ge) based infrared photodetector on silicon and Ge on insulator (GeOI) substratesE-MRS 2014 Spring Meeting, Lille, France, 26.-30.05.2014
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  • S. Körner, F. Kiefer, R. Peibst, F. Heinemeyer, J. Krügener, and M. Eberstein (2014): Basic Study on the Influence of Glass Composition and Aluminum Content on the Ag/Al Paste Contact Formation to Boron Emitters5th Workshop on Metallization for Crystalline Silicon Solar Cells, Constance, Germany, 20.-21.10.2014
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    DOI: 10.4229/EUPVSEC20142014-2AV.3.61
  • Y. Larinova, F. Kiefer, B. Lim, F. Heinemeyer, R. Peibst, R. Brendel, M. Emsley, C. Dube, J. Graff (2014): Industrial ion implanted, co-annealed and fully screen-printed bifacial n-PERT solar cells with low-doped back-surface fields4th nPV workshop, 's-Hertogenbosch, Netherlands, 27.-28.03.2014
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  • A. R. Chaudhuri, A. Fissel, H.-J. Osten (2013): Enhanced Dielectric Properties of Nitrogen Doped Epitaxial Gd2O3 Thin Films on SiE-MRS 2013 Fall Meeting, Warzaw, Poland, 16.-20.09.2013
  • A. R. Chaudhuri, A. Fissel, H.-J. Osten (2013): Improving Dielectric Properties of Epitaxial Gd2O3 Thin Films on Si by Dopant Incorporation30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2013), Banff, Alberta, Canada, 05.-11.10.2013
  • A. R. Chaudhuri, A. Fissel, H.-J. Osten (2013): Enhanced Dielectric Properties of Nitrogen Doped Epitaxial Gd2O3 Thin Films on SiNanoDay 2013, Hannover, Germany, 10.10.2013
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  • D. Tetzlaff (2013): Kohlenstoff-unterstützte Epitaxie von Germanium auf SiliziumVakuumtag, Hannover, Germany, 09.10.2013
  • D. Tetzlaff, T. F. Wietler, E. Bugiel, H.-J. Osten (2013): Carbon-mediated Epitaxy of Ge on SiNanoDay 2013, Hannover, Germany, 10.10.2013
  • D. Tetzlaff, T. F. Wietler, E. Bugiel, H.-J. Osten (2013): Influence of growth temperature on strain relaxation of thin Ge films on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), Fukuoka, Japan, 02.-06.06.2013
  • E. Bugiel, F. Schulze Wischeler (2013): Transmissionselektronenmikroskopie am LNQE: Neue Angebote an diagnostischen MöglichkeitenLNQE-Kolloquium, Hannover, Germany, 16.01.2013
  • F. Dross, A. Merkle, E. van Kerschaver, S. Baker-Finch, K. Cabanas-Holmen, R. Peibst, N.-P. Harder, R. Brendel, P. A. Basore (2013): Analysis of RISE-IBC Solar Cells28th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (28th EU PVSEC), Paris, France, 30.09.-04.10.2013
    DOI: 10.4229/28thEUPVSEC2013-2CV.3.48
  • F. Kiefer, R. Peibst, T. Ohrdes, T. Dullweber, J. Krügener, H.-J. Osten, C. Schöllhorn, A. Grohe, R. Brendel (2013): Analyzing the recombination current densities in industrial like n-type PERT solar cells exceeding 20% efficiencyPhotovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23), Taipeh, Taiwan, 28.10.-01.11.2013
  • H.-J. Osten (2013): Forschungsaktivitäten am MBE InstitutVakuumtag, Hannover, Germany, 09.10.2013
  • H.-J. Osten (2013): Elektronik: gestern - heute - morgenVDI AK Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik, Hannover, Germany, 09.10.2013
  • H.-J. Osten (invited) (2013): Improving Dielectric Properties of Epitaxial Lanthanide Oxides on SiliconAVS 60th International Symposium and Exhibition, Long Beach, California, USA, 27.10.-01.11.2013
  • J. Krügener, F. A. Wolf, R. Peibst, F. Kiefer, C. Schöllhorn, A. Grohe, R. Brendel, H.-J. Osten (2013): Correlation of dislocation line densities and emitter saturation current densities of ion implanted boron emittersPhotovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23), Taipeh, Taiwan, 28.10.-01.11.2013
  • J. Krügener, N.-P. Harder (2013): Weak Light Performance of PERC, PERT and Standard Industrial Solar Cells3rd SiliconPV, Hamelin, Germany, 24.-27.03.2013
  • J. Schmidt (2013): Epitaxie von Germanium auf virtuellen SiGe(001)-SubstratenDeutscher MBE-Workshop, Dresden, Germany, 30.09.-01.10.2013
  • J. Schmidt, D. Tetzlaff, E. Bugiel, T. F. Wietler (2013): Epitaxy of germanium on virtual Si1-xGex(001) substratesNanoDay 2013, Hannover, Germany, 10.10.2013
  • R. Bar, S. Manna, A. Laha, H.-J. Osten, S. K. Ray (2013): Si1-xGex Nanocrystals Embedded in Epitaxial Gd2O3 on p-Si (111) Grown by Molecular Beam Epitaxy for Nanocrystal Based Flash Memory DevicesInternational Union of Materials Research Societies – International Conference in Asia – 2013 (IUMRS-ICA-2013), Bangalore, India, 16.-20.12.2013
  • R. Brendel, T. Dullweber, R. Gogolin, H. Hannebauer, N.-P. Harder, J. Hensen, S. Kajari-Schröder, R. Peibst, J. H. Petermann, U. Römer, J. Schmidt, H. Schulte-Huxel, V. Steckenreiter (2013): Recent Progress and Options for Future Crystalline Silicon Solar Cells28th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (28th EU PVSEC), Paris, France, 30.09.-04.10.2013
    DOI: 10.4229/28thEUPVSEC2013-2BP.1.1
  • R. Peibst, N.-P. Harder, A. Merkle, T. Neubert, S. Kirstein, J. Schmidt, F. Dross, P. A. Basore, R. Brendel (2013): High-Efficiency RISE-IBC Solar Cells: Influence of Rear Side-Passivation on pn-Junction Meander Recombination28th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (28th EU PVSEC), Paris, France, 30.09.-04.10.2013
    DOI: 10.4229/28thEUPVSEC2013-2CO.4.1
  • T. F. Wietler, J. Schmidt, D. Tetzlaff, E. Bugiel (2013): Surfactant-Mediated Epitaxy of Silicon-Germanium Films on Silicon (001) Substrates8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), Fukuoka, Japan, 02.-06.06.2013
  • A. Fissel (invited tutorial) (2012): Semiconductor Epitaxy: From Science to NanotechnologyInternational Conference on Emerging Electronics (ICEE), Mumbai, India, 15.-17.12.2012
  • A. Fissel, J. Krügener, H.-J. Osten (2012): Preparation of large step-free mesas on Si(111) by molecular beam epitaxyE-MRS 2012 Spring Meeting, Symposium A: Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications, Strasbourg, France, 14.-18.05.2012
  • A. Laha, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2012): Encapsulated solid phase epitaxy of Ge quantum well embedded into epitaxial rare earth oxide17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara, Japan, 23.-28.09.2012
  • D. Schwendt (2012): Spannungseffekte in dünnen, epitaktischen Seltene Erden-OxidenDeutscher MBE-Workshop, Hannover, Germany, 11.-12.09.2012
  • D. Schwendt (2012): Röntgendiffraktometrie an dünnen epitaktischen SchichtenBruker XRD Anwendertreffen, Lüneburg, Germany, 09.-10.10.2012
  • D. Schwendt, H.-J. Osten (2012): Influence of strain on dielectric properties of rare earth oxides17th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2012), Dresden, Germany, 25.-27.06.2012
  • D. Tetzlaff (2012): Untersuchung der Relaxation bei der Kohlenstoff-unterstützten Epitaxie von Ge auf SiDeutscher MBE-Workshop, Hannover, Germany, 11.-12.09.2012
  • D. Tetzlaff , T. F. Wietler, E. Bugiel, H.-J. Osten (2012): Strain relaxation of thin Ge films on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara, Japan, 23.-28.09.2012
  • H.-J. Osten (2012): Epitaxial Oxides on Silicon for CMOS and BeyondIndian Institute of Technology Hyderabad, Hyderabad, India, 13.12.2012
  • H.-J. Osten (invited) (2012): Strain-driven enhancement of dielectric properties in thin metal oxides layers epitaxially grown on siliconInternational Conference on Emerging Electronics (ICEE), Mumbai, India, 15.-17.12.2012
  • H.-J. Osten (invited), D. Schwendt (2012): Strain Effects on Dielectric Properties of Thin, Crystalline Rare Earth Oxides on Silicon222th Electrochemical Society Meeting, Honolulu, Hawaii, USA, 07.-12.10.2012
  • H.-J. Osten, T. Wietler (2012): Materialien und Bauelemente für zukünftige Si-basierte ElektronikLNQE-Kolloquium, Hannover, Germany, 05.12.2012
  • J. Krügener (2012): MBE-Wachstum und Charakterisierung von Silizium mit modifizierter KristallstrukturDeutscher MBE-Workshop, Hannover, Germany, 11.-12.09.2012
  • T. F. Wietler, E. P. Rugeramigabo, E. Bugiel, E. Garralaga Rojas (2012): Relaxed Germanium on Porous Silicon Substrates2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), Berkeley, California, USA, 04.-06.06.2012
  • T. Ohrdes, U. Römer, Y. Larionova, R. Peibst, P. P. Altermatt, N.-P. Harder (2012): High Fill-Factors of Back-Junction Solar Cells without Front Surface Field Diffusion27th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (29th EU PVSEC), Frankfurt, Germany, 24.-29.09.2012
    DOI: 10.4229/27thEUPVSEC2012-2DO.3.5
  • A. Grimm, D. Schwendt, H.-J. Osten (2011): Structural investigation of epitaxial high-k gate dielectricsDeutscher MBE-Workshop 2011, Berlin, Germany, 05.-06.10.2011
  • A. Laha, A. Bin, P. R. P. Babu, A. Fissel, H.-J. Osten (2011): Enhanced electrical properties of carbon doped epitaxial Gd2O3 thin films on silicon substrates220th Electrochemical Society Meeting, Boston (MA), USA, 09.-14.10.2011
  • D. Schwendt, H.-J. Osten (2011): Photoelectron spectroscpoy of ultrathin epitaxial rare earth oxides on siliconFrühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Dresden, Germany, 13.-18.03.2011
  • D. Tetzlaff , T. Wietler, E. Bugiel, H.-J. Osten (2011): Carbon-Mediated Growth of Epitaxial Germanium Layers on Silicon7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI 7), Leuven, Belgium, 28.08.-01.09.2011
  • D. Tetzlaff, T. Wietler, E. Bugiel, H.-J. Osten (2011): Ge-Epitaxie für NIR-FotodetektorenNanoDay 2011, Hannover, Germany, 29.09.2011
  • D. Tetzlaff, T. Wietler, E. Bugiel, H.-J. Osten (2011): Kohlenstoffunterstütztes Wachstum von epitaktischen Germaniumschichten auf SiliziumDeutscher MBE-Workshop 2011, Berlin, Germany, 05.-06.10.2011
  • H.-J. Osten (invited) (2011): Epitaxial Oxides on Silicon for CMOS and Beyond38th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI), San Diego, California, USA, 16.-20.01.2011
  • H.-J. Osten (invited) (2011): Epitaxial Lanthanide Oxides on Silicon for CMOS and Beyond7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI 7), Leuven, Belgium, 28.08.-01.09.2011
  • J. Krügener, A. Fissel, H.-J. Osten (2011): Formation of large step-free areas on siliconDeutscher MBE-Workshop 2011, Berlin, Germany, 05.-06.10.2011
  • J. Ruhkopf, T. F. Wietler, E. P. Rugeramigabo, D. Tetzlaff, J. Krügener, E. Bugiel, H.-J. Osten (2011): Surfactant-mediated epitaxy of germanium layers on vicinal silicon substratesFrühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Dresden, Germany, 13.-18.03.2011
  • T. F. Wietler, J. Ruhkopf, E. P. Rugeramigabo, D. Tetzlaff, J. Krügener, E. Bugiel, H.-J. Osten (2011): Surfactant-Mediated Epitaxy of Germanium on Vicinal Silicon Substrates7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI 7), Leuven, Belgium, 28.08.-01.09.2011
  • T. F. Wietler, J. Ruhkopf, E. P. Rugeramigabo, D. Tetzlaff, J. Krügener, E. Bugiel, H.-J. Osten (2011): Surfactant-modifizierte Epitaxie von Germanium auf fehlgeneigten SiliziumsubstratenDeutscher MBE-Workshop 2011, Berlin, Germany, 05.-06.10.2011
  • T. Wietler (invited) (2011): Surfactant-modified epitaxy of germanium layers on silicon for high-mobility channels16th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Alpe d'Huez, France, 20.-23.03.2011
  • A. Fissel, J. Kruegener, H.-J. Osten (2010): Towards controlled molecular beam epitaxial growth of artificially layered Si structures16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), 2010, Berlin, Germany, 22.–27.08.2010
  • A. Laha, A. Fissel, H.-J. Osten (2010): Impact of interfacial germanium on the properties of molecular beam epitaxial grown Gd2O3 on Si16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), 2010, Berlin, Germany, 22.–27.08.2010
  • A. Laha, A. Fissel, H.-J. Osten (2010): Growth of graphite-like carbon on Si(111) substrates using solid source molecular beam epitaxy technique16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), 2010, Berlin, Germany, 22.–27.08.2010
  • A. Laha, E. Bugiel, H.-J. Osten, A. Fissel, V. V . Afanas’ev, M. Badylevich (2010): Semiconductor Nanostructures in Crystalline Rare Earth Oxide for Nanoelectronic Device Applications22nd International Conference on Microelectronics (ICM2010), 2010, Cairo, Egypt, 19.-22.12.2010
    DOI: 10.1109/ICM.2010.5696129
  • A. Laha, E. Bugiel, H.-J. Osten, A. Fissel, V. V. Afanas'ev, M. Badylevich (2010): Incorporating Si, Ge and Si1-xGex Nanostructures into Crystalline Rare Earth Oxide for Nanoelectronic Device ApplicationsE-MRS Fall Meeting 2010, Symp. E: Nanoscaled Si, Ge based materials, Warsaw, Poland, 13.-17.09.2010
  • D. Müller-Sajak, H. Pfnür, A. Cosceev, K. R. Hofmann (2010): Crystalline lattice-matched B 0.7Sr0.3O on Si(001) as Gate DielectricElectronic Materials Conference, Notre-Dame, Indiana, USA, 23.-25.06.2010
  • D. Schwendt, E. Bugiel, H.-J. Osten (2010): Tuning the Properties of Crystalline Lanthanide Oxides on SiliconInternational Symposium on Integrated Functionalities (ISIF) 2010, San Juan, Puerto Rico, 13.-16.06.2010
  • H.-J. Osten (invited) (2010): Challenges on Large Scale Use of QNM TechnologiesPanel discussion at the 4th International Conference on Quantum, Nano and Micro Technologies (ICQNM 2010), Sint Maarten, Netherlands Antilles, 10.-16.02.2010
  • H.-J. Osten (invited) (2010): Introducing Crystalline Rare-Earth Oxides into Si-based ElectronicsInternational Symposium on Integrated Functionalities (ISIF) 2010, San Juan, Puerto Rico, 13.-16.06.2010
  • H.-J. Osten, A. Laha, A. Fissel (2010): Si Nanostructures Embedded into Crystalline Rare-Earth Oxide Matrix for Opto and Nano Electronic Applications4th International Conference on Quantum, Nano and Micro Technologies (ICQNM 2010), Sint Maarten, Netherlands Antilles, 10.-16.02.2010
  • J. Krügener, H.-J. Osten, A. Fissel (2010): Influence of Surface Preparation Conditions on the Surface Defect Structure of Boron-covered Si(111): An Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy Study37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI), Santa Fe, New Mexico, USA, 10.-14.01.2010
  • J. S. de Sousa, R. Peibst, K. R. Hofmann, G. A. Farias, J.-P. Leburton (2010): Electron charging and discharging in Ge nanocrystal flash memories; one by oneInternational Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (ICSNN-2010), Beijing, China, 18.-23.07.2010
  • R. Endres, H. Gottlob, M. Schmidt, D. Schwendt, H.-J. Osten, U. Schwalke (2010): Crystalline Gadolinium Oxide: A Promising High-k Candidate for Future CMOS Generations218th ECS Meeting, Las Vegas, Nevada, USA, 10.-15.10.2010
  • R. Ranjith, A. Laha, E. Bugiel, H.-J. Osten (2010): Growth and studies of ultra thin Gd2O3 layers and Gd2O3/Si/Gd2O3 stacking on p-Si(111) wafers by molecular beam epitaxy for resonant tunnel diode applications16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), 2010, Berlin, Germany, 22.–27.08.2010
  • T. F. Wietler, E. P. Rugeramigabo, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2010): Strain Relaxation Engineering in Epitaxy of Ge on Si(001): The Impact of Sb-Coverage on Interdiffusion16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), 2010, Berlin, Germany, 22.–27.08.2010
  • T. F. Wietler, P. Turewicz, E. P. Rugeramigabo, D. Schwendt, D. Tetzlaff, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2010): P-type Ge films on Si(001) grown by surfactant-mediated epitaxyInternational SiGe Technology and Device Meeting, Stockholm, Sweden, 24.-26.05.2010
  • A. Cosceev, D. Müller-Sajak, H. Pfnür, K. R. Hofmann (2009): Preparation and Electrical Characterization of Amorphous BaO, SrO and Ba0.7Sr0.3O as High-k Gate Dielectrics12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces" (ICFSI-12), Weimar, Germany, 05.-10.07.2009
  • A. Fissel, A. Laha, E. Bugiel, R. Dargis, A. Ali, H. J. Osten (2009): Tailoring of Si nanostructures embedded into epitaxial oxides for various applications17th International Conference on Composites/Nano Engineering (ICCE-17), Honolulu, USA, 26.07.-01.08.2009
  • A. Fissel, A. Laha, E. Bugiel, R. Dargis, A. Ali, H.-J. Osten (2009): Preparation and Properties of Si nanostructures embedded into epitaxial oxidesNanotech Europe 2009, Berlin, Germany, 28.-30.09.2009
  • A. Fissel, J. Krügener, D. Schwendt, H.-J. Osten (2009): Role of boron and surface defects on the growth mode of Si on Si(111): A photoemission and electron diffraction study12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12), Weimar, Germany, 05.-10.07.2009
  • A. Fissel, R. Dargis, E. Bugiel, J. Krügener, T. Wietler, D. Schwendt, A. Laha, H.-J. Osten (2009): Single-crystalline silicon on single-crystalline insulator prepared by different approachesE-MRS 2009, Symposium I, Strasbourg, France, 08.-12.06.2009
  • A. Laha, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2009): Epitaxial Gd2O3 on strained Si1-xGex layers: Growth and electrical characterizationE-MRS 2009, Symposium I, Strasbourg, France, 08.-12.06.2009
  • A. Laha, M. Jestremski, E. Bugiel, D. Wong, A. Fissel, H.-J. Osten, Ashkar Ali, S. Datta (2009): Si Nanostructures Embedded into Crystalline Rare Earth Oxide Matrix for Opto and Nano-electronic Device Application2009 International Conference on Mechanical and Electronics Engineering (ICMEE), Chennai, India, 27.-29.06.2009
  • A. Laha, M. Jestremski, E. Bugiel, D. Wong, and H.-J. Osten, A. Fissel, A. Ali, S. Datta (2009): Quantum Effects in Group IV Nanostructures Embedded into Crystalline Rare Earth Oxides on Silicon SubstratesInternational Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2009), Singapore, 28.06.-03.07.2009
  • A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, Y. V.Gomeniuk, Y. Y.Gomeniuk, H.-J. Osten, A. Laha (2009): Interface and bulk properties of MBE-grown rare-earth metal oxides on silicon216th ECS Meeting, Wien, Austria, 04.-09.10.2009
  • D. Müller-Sajak, A. Cosceev, H. Pfnür, K. R. Hofmann (2009): Investigation of Epitaxy and Electrical Properties of the Alkaline-Earth Oxides BaO, SrO and Ba0.7Sr0.3O on Si(001) as Alternative Gate Dielectrics6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-6, Los Angeles, USA, 17.-22.05.2009
  • D. Schwendt, D. Tetzlaff, E. Bugiel, H.-J. Osten (2009): Stability of Crystalline Gd2O3 Thin Films on Silicon during Post-growth Processing3rd International Conference on Signals, Circuits and Systems (SCS’09), Djerba, Tunesia, 06.-08.11.2009
  • H.-J. Osten (invited) (2009): Epitaxy of High-K Oxides15th Euro-MBE, Zakopane, Poland, 08.-11.03.2009
  • H.-J. Osten (invited) (2009): Introducing Crystalline Rare-Earth Oxides into Si-based ElectronicsXVth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (XVth IWPSD), Delhi, India, 15.-19.12.2009
  • H.-J. Osten, A. Laha, A. Fissel (invited) (2009): Epitaxial Lanthanide Oxide based Gate DielectricsMRS Spring Meeting, San Francisco, California, USA, 13.-17.04.2009
  • J. Wang, A. Laha, A. Fissel, D. Schwendt, R. Dargis, T. Watahiki, T. Liu, H.-J. Osten (2009): Structural Study of Epitaxially Grown Nano-thick Nd2O3/Si(111) Heterostructure4th IEEE Int. Conf. on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (IEEE-NEMS), Shenzhen, China, 05.-08.01.2009
  • K. R. Hofmann, A. Cosceev, D. Müller-Sajak, H. Pfnür (2009): Crystalline lattice-matched Ba0.7Sr0.3O on Si(001) as Gate DielectricIEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Arlington, USA, 03.-05.12.2009
  • R. Dargis, A. Fissel, D. Schwedt, E. Bugiel, J. Krügener, T. Wietler, A. Laha, H.-J. Osten (2009): Epitaxial Growth of Silicon on Rare-Earth Metal oxide4th Symposium on Vacuum based Science and Technology, Koszalin-Kolobrzeg, Poland, 21.-23.09.2009
  • A. Fissel, J. Krügener, E. Bugiel, T. Block, H.-J. Osten (2008): Molecular beam epitaxial growth of Si on heavily boron-doped Si(111) surface: From initial stages to the growth of Si polytypesConference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD) 2008, Sydney, Australia, 28.07.-01.08.2008
  • A. Laha, A. Fissel, E. Bugiel, M. Badylevich, V. Afanas'ev, H.-J. Osten (2008): Integration of low dimensional crystalline Si into functional epitaxial oxides for next generation solar cell applicationConference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD) 2008, Sydney, Australia, 28.07.-01.08.2008
  • A. Laha, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2008): Si-nanoclusters embedded into epitaxial rare earth oxides: potential candidate for non-volatile memory applicationsE-MRS Meeting 2008, Strasbourg, France, 27.-31.05.2008
  • A. Laha, E. Bugiel, R. Dargis, D. Schwendt, M. Badylevich, V. Afanasiev, A. Fissel, H.-J. Osten (2008): Integration of low dimensional crystalline Si into functional epitaxial oxidesWorkshop on Recent Advances of Low Dimensional Structures and Devices (WRA-LDSD) Nottingham, UK, 07.-09.04.2008
  • H.-J. Osten, A. Laha, E. Bugiel, A. Fissel (2008): Si Nanostructures Embedded into Epitaxial Gd2O3 on Si15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Vancouver, Canada, 03.-08.08.2008
  • M. Badylevich, S. Shamuilia, V. V. Afanas’ev, A. Stesmans A. Laha, H.-J. Osten, A. Fissel (2008): Electronic structure of interfaces of cubic Gd2O3 with Si(111) and Si nano-clustersE-MRS Meeting 2008, Strasbourg, France, 27.-31.05.2008
  • M. C. Lemme, H. D. B. Gottlob, T. J. Echtermeyer, H. Kurz, R. Endres, U. Schwalke, M. Czernohorsky, H.-J. Osten (2008): CMOS Integration of Epitaxial Gd2O35th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM), Bad Saarow, Germany, 23.-25.06.2008
  • M. Erenburg, R. Peibst, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2008): Write and retention characteristics of electrons and holes in MOS field-effect transistors with Ge nanocrystal floating gate5th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM), Bad Saarow, Germany, 23.-25.06.2008
  • Q.-Q. Sun, A. Laha, H.-J. Osten, S.-J. Ding, D. W. Zhang, A. Fissel (2008): Electrical Characterization of Ultrathin Single Crystalline Gd2O3/Si(100) with Pt Top Electrode9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT 2008), Beijing, China, 20.-23.10.2008
  • R. Dargis, A. Fissel, E. Bugiel, T. Wietler, D. Schwendt, A. Laha, H.-J. Osten (2008): Development of multi-step procedure for epitaxial growth of crystalline silicon on rare-earth-metal oxide for SOI-applications14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS), Dublin, 29.06.-04.07.2008
  • R. Peibst, T. Dürkop, E. Bugiel, N. Koo, T. Mollenhauer, M. C. Lemme, H. Kurz, K. R. Hofmann (2008): PECVD grown Ge nanocrystals embedded in SiO2: from disordered to templated self-organization15th International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (ICSNN 2008), Natal, Brazil, 03.-08.08.2008
  • T. F. Wietler, E. P. Rugeramigabo, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2008): Influence of Sb induced surface faceting on misfit dislocation formation in Ge heteroepitaxy on Si(001)29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2008), Rio de Janeiro, Brazil, 27.07.-01.08.2008
  • T. Wietler, A. Laha, E. Bugiel, M. Czernohorsky, R. Dargis, A. Fissel, H.-J. Osten (2008): Epitaxial growth of Gd2O3 on Ge films grown by surfactant-mediated epitaxy on Si(001) substrates4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2008), Taiwan, 11.-14.05.2008
  • A. Fissel, D. Kühne, E. Bugiel, A. Laha, M. Czernohorsky, R. Dargis, H.-J. Osten (2007): Silicon in functional epitaxial oxides: A new group of nanostructuresThe 6th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD), San Andres, Colombia, 15.-20.04.2007
  • A. Laha, A. Fissel, H.-J. Osten (2007): Engineering the interface between epitaxial lanthanide oxide thin films and Si substrates: A route towards tuning the electrical properties15th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Athens, Greece, 20.-23.06.2007
  • A. Laha, D. Kühne, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2007): Confining single crystal Si-nanoclsuters into epitaxial rare earth oxides: Taking advantage of quantum phenomena to pratical applicationsIUMRS-ICAM, Bangalore, India, 08.-13.10.2007
  • A. N. Nazarov, Y. V. Gomeniuk, Y. Y. Gomeniuk, H. D. B. Gottlob, M. Schmidt, M. C. Lemme, M. Czernohorsky, H.-J. Osten (2007): Charge trapping in ultrathin Gd2O3 high-k dielectric15th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Athens, Greece, 20.-23.06.2007
  • B. Raissi, J. Piscator, O. Engström, S. Hall, O. Buiu, M. C. Lemme, H. D. B. Gottlob, P. K. Hurley, K. Cherkaoui, and H.-J. Osten (2007): High-K-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy37th European Solid-State Device Research Conference, München, Germany, 11.-13.09.2007
  • E. Bugiel, A. Fissel, H.J. Osten (2007): Integration of Functional Epitaxial Oxides into Silicon: A TEM InvestigationMicroscopy of Semiconducting Materials XV, Churchill College, Cambridge, UK, 02.-05. April 2007.
  • E. Bugiel, A. Fissel, M. Czernohorsky, A. Laha, H.-J. Osten (invited) (2007): Integration of Functional Epitaxial Oxides into Silicon: A TEM InvestigationMicroscopy Conference, Saarbrücken, 02.-07.09.2007
  • E. Lipp, M. Eizenberg, M. Czernohorsky, H.-J. Osten (2007): Thermal stability of Pt/Epitaxial Gd2O3/Si StacksMRS Spring Meeting 2007, San Francisco, California, USA, 09.-13.04.2007
  • H.-J. Osten (invited) (2007): From high-K application to nanostructures: Integration of epitaxial gadolinium oxide into silicon5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France 20.-24.05.2007
  • H.-J. Osten (invited) (2007): Crystalline Rare-Earth Oxides as High-k Materials for Future CMOS Technologies212th ECS Meeting, Washington, D.C., USA, 07.-12.10.2007
  • H.-J. Osten, D. Kühne, A. Laha, R. Dargis, M. Czernohorsky, E. Bugiel, A. Fissel (invited) (2007): Integration of Functional Epitaxial Oxides into Silicon: From High-K Application to NanostructuresJahrestagung der Deutsche Physikalischen Gesellschaft, Regensburg, Germany, 25.-30.03.2007
  • H.-J. Osten, M. Czernohorsky, R. Dargis, A. Laha, D. Kühne, E. Bugiel, A. Fissel (invited) (2007): Integration of functional epitaxial oxides into silicon: From high-k application to nanostructures15th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Athens, Greece, 20.-23.06.2007
  • T. Dürkop, E. Bugiel, I. Costina, A. Ott, R. Peibst, K. R. Hofmann (2007): PE-CVD Fabrication of Germanium Nanoclusters for Memory ApplicationsE-MRS 2007 Spring Meeting, Strasbourg, France, 28.05.-01.06.2007
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2007): Relaxed Germanium Films on Silicon(110)5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France 20.-24.05.2007
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2007): Tuning Strain Relaxation by Surface-Morphology: Surfactant-Mediated Epitaxy of Germanium on Si(100) and Si(111)11th International Conference on the Formatin of Semiconductor Interfaces (ICFSI), Manaus, Brasil, 19.-24.08.2007
  • A. Fissel, C. R. Wang, E. Bugiel, and H.-J. Osten (2006): Preparation of twinning superlattices in silicon by atomic-scale surface manipulation: First step towards Si polytype growth24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, Durham, North Carolina, USA, 08.-11.10.2006
  • A. Fissel, E. Bugiel, and H.-J. Osten (2006): Formation of Si twinning-superlattice: First Step towards Si polytype growthE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • A. Fissel, M. Czernohorsky, H.-J. Osten (2006): Properties of crystalline rare-earth oxide high-k dielectrics grown by molecular beam epitaxy on silicon carbideE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • A. Fissel, M. Czernohorsky, R. Dargis, H.-J. Osten (2006): Growth and Properties of Crystalline Gadolinium Oxide Dielectric Layers On Silicon Carbide for High-K Application6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Newcastle upon Tyne, UK, 03.-07.09.2006
  • A. Laha, A. Fissel, E. Bugiel, H.-J. Osten (2006): Comparative Investigation of Epitaxial Gd2O3 Thin Films Grown on Si Substrates with Different Orientations for High-K Application48th Electronic Materials Conference, Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA, 28.-30.06.2006
  • A. Laha, A. Fissel, E. Bugiel, O. Kirfel, H.-J. Osten (2006): Epitaxial multi-component rare earth oxide for high-K applicationE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • D. Kühne, A. Fissel, E. Bugiel, H.-J. Osten (2006): Novel approach for fabrication of single crystalline insulator/Si/insulator double barrier nanostructures using cooperative vapour-solid-phase epitaxyMRS Spring Meeting 2006, San Francisco, California, USA, 18.-21.04.2006
  • D. Kühne, A. Fissel, E. Bugiel, H.-J. Osten (2006): Fabrication of single crystalline insulator/Si/insulator double barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxyE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • D. Kühne, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2006): Novel Approach for Fabrication of Single Crystalline Insulator/Si/Insulator Nanostructures: Cooperative Vapour-Solid phase Epitaxy33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI), Cocoa Beach, Florida, USA, 15.-19.01.2006
  • E. Bugiel, M. Lewerenz, H.-J. Osten (2006): Fabrication of well-defined individual dislocations in SiGe as a novel 1-dimensional systemE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • G. Krause, M. F. Beug, T. Müller, T. Mikolajick, K. R. Hofmann (2006): 1/f Noise Analysis of a 75 nm Twin-Flash Technology Non-Volatile Memory Cell7th Non-Volatile Memory Technology Symposium, San Mateo, California, USA, 05.-08.11.2006
  • H.-J. Osten (invited) (2006): MBE growth and Properties of Crystalline Oxide/Silicon/Oxide NanostructuresESF Exploratory Workshop, Como, Italy, 12.-13.09.2006
  • H.-J. Osten, A. Laha, A. Fissel (2006): Influence of Si substrate orientation on growth and electrical properties of epitaxial Gd2O3 thin films for high-κ application37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), San Diego, 06.-09.12.2006
  • H.-J. Osten, D. Kühne, A. Laha, M. Czernohorsky, E. Bugiel, A. Fissel (2006): Integration of functional epitaxial oxides into silicon: From high-k application to nanostructures24th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, Durham, North Carolina, USA, 08.-11.10.2006
  • H.-J. Osten, M. Czernohorsky, E. Bugiel, D. Kühne, A. Fissel (2006): Interface engineering during epitaxial growth of high-k lanthanide oxides on siliconMRS Spring Meeting 2006, San Francisco, California, USA, 18.-21.04.2006
  • H.D.B. Gottlob, T. Echtermeyer, T. Mollenhauer, M. Schmidt, J.K. Evaki, T. Wahlbrink, M.C. Lemme, H. Kurz, R. Endres, Y. Stefanov, U. SChwalke, M. Czernohorsky, E. Bugiel, A. Fissel, H.J. Osten (2006): Approaches to CMOS integration of epitaxial gadolinium oxide high-K dielectrics36th European Solid-State Device Research Conference, Montreux, Switzerland, 18.-22. September 2006.
  • M. Czernohorsky, A. Fissel, H.-J. Osten (2006): Characterization of crystalline rare-earth oxide high-k dielectrics grown by molecular beam epitaxy on silicon carbide33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI), Cocoa Beach, Florida, USA, 15.-19.01.2006
  • M. Czernohorsky, A. Fissel, R. Dargis, E. Bugiel, H.-J. Osten (2006): Wachstum von kristallinem Gadoliniumoxid auf SiliciumDeutscher MBE Workshop, Hamburg, Germany, 26.-27.09.2006
  • O. Kerker, T. F. Wietler, K. R. Hofmann (2006): Characterization of HfO2 deposited by reactive sputtering as gate dielectric for epitaxial Ge-MOSFETs on Si wafersE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • R. Dargis, A. Fissel, M. Czernohorsky, H.-J. Osten (2006): Epitaxie von Gadoliniumoxid auf SiliziumcarbidDeutscher MBE Workshop, Hamburg, Germany, 26.-27.09.2006
  • T. F. Wietler, E. Bugiel and K. R. Hofmann (2006): Residual strain in Ge films grown by surfactant-mediated epitaxy on Si(111) and Si(001) substratesE-MRS 2006 Spring Meeting, Nice, France, 29.05.-02.06.2006
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2006): Surfactant-mediated epitaxy of germanium on structured silicon substrates: towards embedded germanium28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS), Wien, Austria, 24.-28.07.2006
  • A. Fissel (invited): (2005): Manipulation der atomaren Anordnung mit Epitaxie – Ein Weg zur erweiterten Funktionalität von Halbleitermaterialien für nanoelektronische AnwendungenKolloquiumsvortrag, Laboratorium für Nano- und Quantenengineering (LNQE), Hannover, 26.10.2005.
  • A. Fissel, O. Kirfel, Z. Elassar, E. Bugiel, M. Czernohorsky, H. J. Osten (2005): Interface formation during epitaxial growth of Neodymium Oxide on Si(001)207th Electrochemical Society Meeting, Quebec (Canada), 15.-20.05.2005
  • E. Bugiel, H.J. Osten, A. Fissel, O. Kirfel, M. Czernohorsky (2005): TEM investigations of Epitaxial High-k Dielectrics on SiliconMicroscopy of Semiconductor Materials (MSM) XIV Conference, Oxford (UK), 11.-14.04.2005
  • H.-J. Osten (2005): Interface formation during epitaxial growth of binary metal oxide on siliconNATO workshop Defects in High-K Materials, St. Petersburg, Russia, 11.-14.07.2005
  • H.-J. Osten (invited) (2005): Auf dem Weg zur NanoelektronikEKompass Workshop, Hannover, Germany, 25.04.2005
  • H.-J. Osten (invited) (2005): MBE of rare earth oxidesEuropean Science Foundation, Exploratory Workshop, San Remo, Italy, 11.-13.05.2005
  • H.D.B. Gottlob, T. Echtermeyer, T. Mollenhauer, J. Efavi, M. Schmidt, T. Wahlbrik, M.C. Lemme, H. Kurz, M. Czernohorsky, E. Bugiel, H.J. Osten, O. Kirfel, A. Fissel (2005): Crystalline Gd2O3 High-k Gate Dielectrics with TiN Capped Fully Silicided (FUSI) NiSi Electrodes36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Arlington (USA), 01.-03.12.2005
  • K. R. Hofmann, T. F. Wietler, E. Bugiel, R. Kurps (2005): High Quality Germanium Films Grown Directly on Si(001) by Surfactant Mediated EpitaxyElectronic Materials Conference, University of California, Santa Barbara, California, USA, 22.-24.06.2005
  • M. Czernohorsky, O. Kirfel, Z. Elassar, E. Bugiel, A. Fissel, H.-J. Osten (2005): MBE Growth and Interface Formation of Neodymium Oxide on Silicon13th Euro-Konferenz Molecular Beam Epitaxy, Grindelwald, Switzerland, 07.-09.03.2005
  • M. F. Beug, R. Ferretti, K. R. Hofmann (2005): Polarity dependent generation of gate-side and substrate-side border traps in nitrided gate oxidesInsulating Films on Semiconductors, INFOS 2005, Leuven, Belgium, 22.-24.06.2005
  • O. Aubel, W. Hasse, M. Hommel, H. Koerner (2005): Model for the barrier diffusion into Cu interconnects at high temperaturesMaterials for Advanced Metallization, MAM 2005, Dresden, Germany, 06.-09.03.2005
  • O. Kerker, J. Zachariae, F. Mirza, R. Ferretti, K. R. Hofmann (2005): Investigation of Electrical and Optical Properties of BaxSr1-xO Gate Oxide MIS StructuresDPG-Frühjahrstagung, Berlin, Germany, 04.-09.03.2005
  • T. F. Wietler, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2005): Surfactant Mediated Epitaxy of High-Quality Low-Doped Relaxed Germanium Films on Silicon (001)Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, ICSI-4, Awaji Island, Hyogo, Japan, 23.-26.05.2005
  • A. Fissel (invited) (2004): Molecular Beam Epitaxy of semiconductor nanostructures based on SiC5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Bologna (Italy), 31.08. – 04.09.2004
  • A. Fissel, C. Wang, E. Bugiel, H.-J. Osten (2004): Epitaxial growth of non-cubic siliconThe 5th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD), Cancun, Mexico, 12.-17.12.2004
  • C. Deiter, A. Gerdes, E. P. Rugeramigabo, J. Wollschläger, C. R. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2004): GIXRD and AFM Investigations of CaF2/Si MultilayersDPG-Frühjahrstagung, Regensburg, Germany, 08.-12.03.2004
  • C. R. Wang, B. H. Müller, M. Bierkandt, E. Bugiel, T. Wietler, K. R. Hofmann (2004): Growth of CaF2/Si/CaF2 Resonant-Tunneling Structures by B and Sb Surfactant-Enhanced EpitaxyE-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, 24.-28.05.2004
  • C. R. Wang, B. H. Müller, M. Bierkandt, E. Bugiel, T. Wietler, K. R. Hofmann (2004): Growth of CaF2/Si/CaF2 Resonant-Tunneling Structures by B and Sb Surfactant-Enhanced Epitaxy44th Electronic Materials Conference 2004, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA, 23.-25.06.2004
  • C. R. Wang, B. H. Müller, M. Bierkandt, T. Wietler, E. Bugiel, and K. R. Hofmann (2004): Boron surfactant-enhanced growth of Si films on CaF2/SiE-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, 24.-28.05.2004
  • C. R. Wang, M. Bierkandt, B. H. Müller, S. Paprotta, E. Bugiel, T. Wietler, K. R. Hofmann (2004): Fabrication of Resonant-Tunneling Diodes by B Surfactant Modified Growth of Si Films on CaF2/SiDPG-Frühjahrstagung, Regensburg, Germany, 08.-12.03.2004
  • C. R. Wang, M. Bierkandt, B. H. Müller, S. Paprotta, E. Bugiel, T. Wietler, K. R. Hofmann (2004): Fabrication of Resonant-Tunneling Diodes by B Surfactant-Enhanced Growth of Si Quantum Well Layers on CaF2/Si4th IEEE Conference on Nanotechnology, Munich, Germany, 17.-19.08.2004
  • E. Bugiel (2004): TEM-Querschnittspräparation - einfach, schnell und preiswertWorkshop des Fachausschusses Metallografie der Deutschen Gesellschaft für Materialkunde: Präparative Aspekte der TEM, Mai 2004
  • H.-J. Osten (invited) (2004): The red brick wall of traditional semiconductor electronicsHereaus-Seminar "Spintronic", Bad Honnef, 11.-14.01.2004
  • H.-J. Osten (invited) (2004): Epitaxial High-k Dielectrics on Silicon5th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM), Smolenice, Slovakia, 17.-21.10.2004
  • H.-J. Osten, E. Bugiel, A. Fissel, O. Kirfel (invited) (2004): Epitaxial Silicon/Metal Oxide Stacks for various applications11th Advanced Heterostructure Workshop, Hawaii, USA, 05.-10.12.2004
  • H.-J. Osten, E. Bugiel, O. Kirfel, M. Czernohorsky, A. Fissel (invited keynote lecture) (2004): Growth and Properties of Epitaxial Metal Oxides for High-K DielectricsIC MBE 2004, Edinburgh, UK, August 2004
  • M. Tolkiehn, D. V. Novikov, C. R. Wang (2004): Experimente mit kinematischen stehenden Röntgenwellen an CaF2/Si(111)DPG-Frühjahrstagung, Regensburg, Germany, 08.-12.03.2004
  • T. F. Wietler, A. Ott, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2004): Advances in Growth and Device Processing of Germanium Films on Si(111)Second International SiGe Technology and Device Meeting, Frankfurt/Oder, Germany, 16.-19.05.2004
  • T. F. Wietler, K. R. Hofmann (2004): XRD analysis of Ge- and GexSi1-x-layers grown by surfactant mediated epitaxyDPG-Frühjahrstagung, Regensburg, Germany, 08.-12.03.2004
  • A. Fissel, H.-J. Osten, and E. Bugiel (invited) (2003): Towards understanding epitaxial growth of alternative high-K dielectrics on Si(001): Application to Praseodymium OxidePhysics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Salt Lake City, Utah, USA, 19.-23.01.2003
  • B. H. Müller, C. R. Wang, A. Bugiel, K. R. Hofmann (2003): Surfactant modified epitaxy of Si on CaF2/Si(111)DPG-Jahrestagung, Dresden, Germany, 24.-28.03.2003
  • C. Deiter, J. Wollschläger, C. R. Wang, B. H. Müller (2003): Surfactant Enhanced Annealing of Si Films on CaF2/Si(111) investigated by SXRD and AFM2003 HASYLAB Users Meeting "Research with Synchrotron Radiation", 31.01.2003
  • C. R. Wang, B. H. Müller and K. R. Hofmann (2003): Double-barrier resonant-tunneling diode by surfactant-assisted growth of Si on CaF2/Si2003 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, Japan, 08.-09.06.2003
  • C. R. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2003): High temperature growth of CaF2 on Si(111) substratesDPG-Jahrestagung, Dresden, Germany, 24.-28.03.2003
  • C. R. Wang, B. H. Müller, T. Wietler, E. Bugiel. K. R. Hofmann (2003): Surfactant enhanced growth of thin Si films on CaF2/Si(111)2003 E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, 10.-13.06.2003
  • F. Beug, R. Ferretti, K. R. Hofmann (2003): Detailed investigation of the transient local tunneling in gate oxides2003 IEEE International Reliability Physics Symposium, Dallas, Texas, USA, 30.03.-04.04.2003
  • H. Brocke (2003): FEM-Analyse von Viaketten in Cu-Technologie mit low-k Dielektrikum und von Viaketten in Al-Technologie bezüglich Temperatur- und StromdichteverteilungE.I.S. Workshop, Erlangen, 31.03.-01.04.2003
  • H.-J. Osten (invited) (2003): Growth, properties, and application of ternary SiGeC alloys on SiKeynote lecture at the III. Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronic, Madrid, Spain, 24.-28.03.2003
  • H.-J. Osten (invited) (2003): Epitaxial high-K materials as future gate dielectricsHeTech03, San Rafael, Segovia, 12.-15.10.2003
  • H.-J. Osten, A. Bugiel, A. Fissel (invited) (2003): Understanding epitaxial growth of alternative high-K dielectrics on Si(001)ESF Workshop, Zürich, Switzerland, 17.-18.03.2003
  • H.-J. Osten, A. Fissel (invited) (2003): Epitaxial High-K Materials12th EURO-MBE 2002, Bad Hofgastein, Austria, 16.-19.02.2003
  • O. Aubel, W. Hasse, M. Hommel (2003): Bimodal behavior and improvement of electromigration resistance of copper observed in highly accelerated lifetime tests (HALT)Advanced Metallizations Conference, Montreal, Canada, 21.-23.10.2003
  • S. E. Schulz, O. Aubel, J. Baumann, W. Hasse, T. Gessner (2003): Copper Alloys for Improved Interconnect PropertiesPoster Presentation at Advanced Metallizations Conference, Montreal, Canada, 21.-23.10.2003
  • T. Wietler, N. Hoffmann, E. Bugiel, K. R. Hofmann (2003): Growth and characterisation of Ge- and GexSi1-x-multilayers on virtual GeSi-substratesDPG-Frühjahrstagung, Dresden, Germany, 24.-28.03.2003
  • X. Yu, O. Aubel, W. Hasse (2003): Simulation of electrical, thermal and mechanical effects on migration performance and voids formation in a complete copper dual damascene test structure with the influence of the extrusion monitorAdvanced Metallizations Conference, Montreal, Canada, 21.-23.10.2003
  • B. H. Müller, C. Wang, K. R. Hofmann (2002): Fabrication and I-V measurements of CaF2/Si/CaF2 resonant tunnelling diodesDPG-Tagung 2002, Regensburg, Germany, March 11.-15.03.2002
  • B. H. Müller, C. Wang, K. R. Hofmann (2002): MBE growth of thin Si films on CaF2/Si(111) for resonant tunnelling structuresE-MRS 2002 Spring Meeting, Symposium J, Strasbourg, France, 18.-21.06.2002
  • B. H. Müller, C. Wang, K. R. Hofmann (2002): Growth of CaF2/Si/CaF2 Resonant-Tunneling Structures43rd Electronic Materials Conference 2002, University of California, Santa Barbara, California, USA, 26.-28.06.2002
  • B. Müller, C. Wang, K. R. Hofmann (2002): Topographische und elektrische Charakterisierung von Si/CaF2-Heteroschichtfolgen auf Si(111)DPG-Tagung 2002, Regensburg, Germany, March 11.-15.03.2002
  • C. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2002): CaF2/Si/CaF2 Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes on SiliconIEEE 2002 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, Hawaii, USA, 09.-10.06.2002
  • C. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2002): Friction force material contrast during the initial stage of CaF2/Si(111) epitaxy21st European Conference on Surface Science, Malmö, Sweden, 24.-28.06.2002
  • F. Bechstedt, A. Fissel, J. Furthmüller, U. Kaiser, H.-C. Weisker, W. Wesch (invited) (2002): Quantum structures in SiC11. Conference on Formation of Interfaces (ICSFS-11), Marseille, France, 08.-12.07.2002
  • H.-J. Osten (invited) (2002): SiGe:C Device Application201st ECS Meeting, 9th International Symposium on Silicon Material Science and Technology, Philadelphia, 12.-17.05.2002
  • H.-J. Osten, E. Bugiel, A. Fissel (2002): Epitaxial Praseodymium Oxide: A New High-K Dielectric9th International Workshop on Oxide Electronics (WOE), St. Peter Beach, Florida, Oct. 2002
  • H.-J. Osten, E. Bugiel, A. Fissel (invited) (2002): Epitaxial Praseodymium Oxide: A New High-K DielectricMaterial Research Society, Fall Meeting, Symp. M, Boston, 02.-05.12.2002
  • I. Dumkow, T. Wietler, K. R. Hofmann, M. Horn-von Hoegen (2002): Germanium auf relaxierten Ge0.8Si0.2 Pseudosubstraten Präparation und MorphologieDPG-Tagung 2002, Regensburg, Germany, March 11.-15.03.2002
  • S. Paprotta, F. Beug, T. Wietler, R. Ferretti, K. R. Hofmann (2002): Characterization of Gate-Stacks with Silicon and Germanium Nano-Crystals for Memory ApplicationInternational Workshop NEOP, 7, Dresden, Germany, 07.-09.10.2002
  • S. Paprotta, R. Ferretti, K. R. Hofmann, J. D. Kähler (2002): Characterization of LPCVD-SiO2 and ONO-Stacks using BTBAS as Precursor5th International Meeting of CREMSI, STUniversity, Fuveau, France, 14.-15.11.2002
  • T. Wietler, N. Hoffmann, K. R. Hofmann (2002): Untersuchung dünner GexSi1-x-Pseudosubstrate auf SiliziumDPG-Tagung 2002, Regensburg, Germany, March 11.-15.03.2002
  • U. Schwalke, K. Boye, K. Haberle, R. Heller, G. Hess, G. Müller, T. Ruland. G. Tzschöckel, H. J. Osten, A. Fissel, H.-J. Müssig (invited) (2002): High-k dielectric materials: Integration issues and electrical characteristicsEuropean Congress on Advanced Materials and Processes, Materials Week 2002, München, Germany, 30.09.–02.10.2002
  • U. Schwalke, K. Boye, K. Haberle, R. Heller, G. Hess, G. Müller, T. Ruland. G. Tzschöckel, H.-J. Osten, A. Fissel, H. J. Müssig (invited) (2002): Process Integration of Crystalline Pr2O3 High-K Gate Dielectrics32th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2002), Firenze, Italy, 24.-26.09.2002
  • W. Hasse, H. Brocke, X. Yu (2002): FEM-Simulation von Metallisierungsstrukturen bei hohen Stromdichten20. ITG-Diskussionssitzung "Fehlermechanismen bei kleinen Geometrien", Oberammergau, Germany, 07.-08.05.2002
  • B. H. Müller, C. Wang, K. R. Hofmann (2001): Morphologies of CaF2 films grown by MBE on Si(111) substratesDPG-Tagung 2001, Hamburg, Germany, 26.-30.03.2001
  • C. R. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2001): Molecular Beam Epitaxy of CaF2 on Si(111)42nd Electronic Materials Conference 2001, Notre Dame, Indiana, USA, 27.-29.06.2001
  • T. Wietler, N. Hoffmann, K. R. Hofmann (2001): Herstellung von GexSi1-x-Schichten auf Si-Substraten mittels Surfactant Modifizierter EpitaxieDPG-Tagung 2001, Hamburg, Germany, 26.-30.03.2001
  • A. Klust, M. Bierkandt, T. Hildebrandt, R. Kayser, J. Wollschläger, T. Schmidt, J. Falta, B. H. Müller (2000): Wachstum von Halbleitern auf CaF2/Si(111)DPG-Frühjahrstagung 2000, Regensburg, Germany, 27.-31.04.2000
  • C. Wang, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2000): Electronic and structural characterization of MBE CaF2 epilayers on Si(111) substratesDPG-Frühjahrstagung 2000, Regensburg, Germany, 27.-31.04.2000
  • J. Wollschläger, M. Bierkandt, M. Grimsehl, A. Klust, T. Schmidt, J. Falta, B. H. Müller, K. R. Hofmann (2000): Struktur der CaF2/Si(111)-GrenzflächeDPG-Frühjahrstagung 2000, Regensburg, Germany, 27.-31.04.2000
  • N. Hoffmann, T. Wietler, M. Kammler, D. Reinking, K. R. Hofmann, M. Horn-von Hoegen (2000): Surfactant modifizierte Epitaxie: Herstellung und elektrische Charakterisierung eines Ge-p-Kanal-MOSFETs auf Si-SubstratDPG-Frühjahrstagung 2000, Regensburg, Germany, 27.-31.04.2000
  • B. H. Müller, K. R. Hofmann (1999): Heteroepitaktische CoSi2/CaF2 Strukturen auf Si
  • M. Horn-von Hoegen, P. Kury, M. Kammler, B. H. Müller, T. Schmidt, J. Falta (1999): Reciprocal Space Mapping periodischer VersetzungsnetzwerkeDPG Frühjahrstagung 1999, Freiburg i. Br., Germany, 22.-26.04.1999
  • M. Kammler, K. R. Hofmann, A. A. AlFalou, M. Horn-von Hoegen (1999): Surfactant modifizierte Epitaxie von relaxierten Ge1-xSix/Si-Filmen auf SiDPG Frühjahrstagung 1999, Freiburg i. Br., Germany, 22.-26.04.1999

Dissertationen

  • Barnscheidt, Yvo (2021): Einfluss von Kohlenstoff-Deltaschichten auf die Defektausbreitung in der Germaniumepitaxie, Dissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität, 2021
  • Gribisch, Philipp (2020): Einfluss der Präparationsbedingungen auf die strukturellen und dielektrischen Eigenschaften von Gd2O3-Schichten gewachsen mit Molekularstrahlepitaxie auf Si(001), Dissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität, 2020
    DOI: 10.15488/10326
  • Montanez Huaman, Liz Margarita (2019): Evaluation of Metal-Organic Frameworks in Electronic Devices for Gas SensingDissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität, 2019
  • Joseph, Anit (2017): Preparation and properties of high dose nitrogen implanted epitaxially grown gadolinium oxide on siliconDissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität, 2017
  • Grimm, Andreas (2016): Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-HalbleiterDissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität Hannover, 2016
  • Hannebauer, Helge (2016): Optimierung der Vorderseitenmetallisierung und des Emitters für hocheffiziente industrielle Silizium SolarzellenDissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität Hannover, 2016
  • Kiefer, Fabian (2016): Kontaktierung Ionen-implantierter Boremitter in n-Typ Silizium-Solarzellen mittels Silber/Aluminium-PastenDissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität Hannover, 2016
  • Römer, Udo (2016): Polycrystalline silicon / monocrystalline silicon junctions and their application as passivated contacts for Si solar cellsDissertation, Hochschulschrift, Leibniz Universität Hannover, 2016
  • Tetzlaff, Dominic (2013): Kohlenstoff-unterstützte Germaniumepitaxie auf SiliziumDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2013, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh13/770144438.pdf
  • Ulzhöfer, Christian (2013): Emitter-wrap-through solar cells: Processing, characterization, device modelingDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2013, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh13/740019945.pdf
  • Krügener, Jan (2012): Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des SiliziumsDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2012, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh12/727618571.pdf
  • Schwendt, Dominik (2012): Charakterisierung von binären und ternären Seltene Erden OxidenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2012, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh12/729124010.pdf
  • Ciptokusumo, Joharsyah (2011): Mechanische Charakterisierung von Cu-Metallisierungen mit unterschiedlichen Durchkontaktierungsgeometrien und Rissbildungsprädiktion der Ta-BarriereDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2011, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh12/683169394.pdf
  • Weide-Zaage, Kirsten (2011): Simulation von Ausfallmechanismen auf Package und ChiplevelHabilitation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2011, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh12/683169394.pdf
  • Peibst, Robby (2010): Elektrische und strukturelle Eigenschaften von Ge-Nanoclustern in SiO2: Evaluation des Anwendungspotentials für nichtflüchtige SpeicherDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2010, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh11/661894916.pdf
  • Beyer, Volkhard (2009): Nanocrystals for Nanodot Memories - Ion Beam Synthesis and Electrical StudiesDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2009, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh12/732387337.pdf
  • Czernohorsky, Malte (2009): Wachstum und Charakterisierung von epitaktischen Seltene-Erden-Oxiden für High-K-AnwendungenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2009, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh09/599987731.pdf
  • Wietler, Tobias (2009): Surfactant-modifizierte Epitaxie für Ge/Si-HeterobauelementeDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2009, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh10/640045464.pdf
  • Krause, Gernot (2008): Charakterisierung von Gate-Oxiden mittels Charge-Pumping und 1/f-RauschanalysenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2008, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh09/593874382.pdf
  • Engelhart, Peter (2007): Lasermaterialbearbeitung als Schlüsseltechnologie zum Herstellen rückseitenkontaktierter SiliciumsolarzellenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2007, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh07/537815775.pdf
  • Beug, Marc Florian (2005): Charakterisierung von EEPROM Tunneloxiden mittels transienter Strom- und KapazitätsmessungenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2005, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh05/486538486.pdf
  • Brocke, Hiltrud (2005): Finite-Elemente-Analyse von modernen LeitbahnsystemenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2005, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=506640590
    ISBN: 3-8167-6924-1
  • Paprotta, Steffen (2005): Untersuchung von Silizium- und Germanium-Nano-Clustern für die moderne SpeichertechnologieDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2005, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh05/480716854.pdf
  • Rotter, Thomas (2005): Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-FeldeffekttransistorenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2005, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh05/490534848.pdf
  • Aderhold, Jochen (2004): Metallorganische Molekularstrahlepitaxie von GaN und InNDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2004, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=497867060
    ISBN: 3-8167-6787-7
  • Aubel, Oliver (2004): Ultrahochbeschleunigte Lebensdauertests an modernen Kupfer-Leitbahnsystemen in höchstintegrierten SchaltungenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2004, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=39143084X
    ISBN: 3-8322-2966-3
  • Mittelstädt, Lutz (2004): Hocheffiziente MIS-n+p-Solarzellen auf multikristallinem Silicium-MaterialDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2004, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=390973084
    ISBN: 3-89821-395-1
  • Fedler, Fritz (2003): Herstellung hochreflektierender AlGaN/AlN-DBR- und UV-VCSEL-Strukturen mittels plasmaunterstützter MolekularstrahlepitaxieDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2003, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/36885356X.pdf
  • Mende, Ole (2003): Laserumschalterstruktur in CMOS-TechnologieDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2003, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/366569759.pdf
  • Mistele, David (2003): Technology of AlGaN/GaN Heterostructure MOSHFETsDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2003, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=374829993
    ISBN: 3-89820-547-9
  • Röver, Kai-Sven (2003): Herstellung und Charakterisierung dünner Gatedielektrika auf GermaniumDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2003, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/367221896.pdf
  • Stemmer, Jens (2003): Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AlN-ZwischenschichtenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2003, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/36809782X.pdf
  • Ahrens, Carsten (2002): Untersuchung der Stabilität von Cu-Diffusionsbarrieren mit Hilfe von Schottky-DiodenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2002, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=376006137
    ISBN: 3-8322-2127-1
  • Lauinger, Thomas (2002): Untersuchung und Optimierung neuartiger Plasmaverfahren zur Siliciumnitrid-Beschichtung von Silicium-SolarzellenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2002, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=337455600
    ISBN: 3-8265-9593-9
  • Schitthelm, Frank (2002): Amorphe diamantartige Kohlenstoffschichten für integrierte pH-SensorenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2002, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/361560168.pdf
  • Zeuner, Marco (2002): Technologiekonzepte für sub-100 nm SiGe-Hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im HochfrequenzbereichDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2002, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e01dh03/364144661.pdf
  • Kammler, Martin (2001): Surfactant-modifizierte Epitaxie von Germanium auf Silizium(111): Morphologie und elektrische EigenschaftenDissertation, Hochschulschrift, Universität Hannover, 2001, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=33332613X
    ISBN: 3-8265-9281-6
  • Meyer, Rüdiger (2001): Die ART-MISIL-Solarzelle: Einführung und Optimierung einer neuartigen SolarzellentechnologieHochschulschrift, Universität Hannover, 2001, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=336461488
    ISBN: 3-8265-9556-4
  • Heidenblut, Torsten (2000): Herstellung und Charakterisierung von Hochtemperatursupraleiter-Bolometern auf gepufferten Siliziumnitrid-MembranenHochschulschrift, Universität Hannover, 2000, http://edok01.tib.uni-hannover.de/edoks/e002/32534390X.pdf
  • Ramcke, Ties (2000): Technologiegrundlagen und Schaltungskonzepte für Einzelelektronen-BauelementeHochschulschrift, Universität Hannover, 2000, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=322913926
  • Reinking, Dirk (2000): Herstellung von p-Kanal-Ge-MOSFETs auf Si-Substraten mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (SME)Hochschulschrift, Universität Hannover, 2000, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=333326849
    ISBN: 3-8265-9293-X
  • Yu, Xiaoying (2000): Untersuchungen zum Einfluß von mechanischem Stress auf die Migration in Metallisierungsstrukturen integrierter SchaltungenHochschulschrift, Universität Hannover, 2002, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=318875691
  • Aminpur, Massud‑Abubaker (1999): Technologischer Einsatz von Jodwasserstoff-Plasmen für die Polysilicium-Gate-Strukturierung in einer Sub-Quarter-Micron-TechnologieHochschulschrift, Universität Hannover, 1999, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=310875544
    ISBN: 3-89722-350-3
  • Fischer, Björn (1999): A Full-Band Monte Carlo Charge Transport Model for Nanoscale Silicon Devices Including StrainHochschulschrift, Universität Hannover, 1999, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=310876087
    ISBN: 3-8265-7018-9
  • Kähler, Jan Dirk (1999): Selektive Wolframauffüllung für CoSi2-Kontakte in großintegrierten SchaltungenHochschulschrift, Universität Hannover, 1999, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=308204654
  • Weidner, Jörg-Oliver (1999): Charakterisierung der Zuverlässigkeit von sub-µm AlSiCu/TiN/Ti/n-Si-Kontakten bei hochbeschleunigten LebensdauertestsHochschulschrift, Universität Hannover, 1999, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=313606196
  • Kuhlmann, Burkhard (1998): Charakterisierung und mehrdimensionale Simulation von MIS-InversionsschichtsolarzellenHochschulschrift, Universität Hannover, 1998, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=249288052
    ISBN: 3-8265-4335-1
  • Burnus, Michael (1997): Pufferschichttechnologie auf Silizium-Membranen für höchstempfindliche HTSL-BolometerHochschulschrift, Universität Hannover, 1997, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=239815440
    ISBN: 3-89712-076-3
  • Kim, Myonchol (1997): Growth and Properties of Si1-yCy Alloy Layers Pseudomorphically Strained on Si(001)
  • Schröder, Hans-Ulrich (1997): EEPROM-Struktur in CMOS-Technologie mit einer Polysiliziumebene: neue Lösch-VerfahrenHochschulschrift, Universität Hannover, 1997, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=238762939
    ISBN: 3-8265-3289-9
  • Voigt, Hartmut (1997): Diamantartiger Hartkohlenstoff als neue Beschichtung für ionensensitive FeldeffekttransistorenHochschulschrift, Universität Hannover, 1997, http://opac.tib.uni-hannover.de/DB=1/XMLPRS=N/PPN?PPN=239249410
    ISBN: 3-8265-3389-5

Abschlussarbeiten

  • Schwarz, Christian (2022): Untersuchung der elektronischen Eigenschaften des Heteroübergangs von polykristallinem Silizium zu Löcher sammelnden Schichten in monolithischen Perowskit/Silizium-Tandemsolarzellen, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Abram, Robin (2021): Charakterisierung von Defektätzverfahren für SiGe-Schichten auf Siliziumsubstraten, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Dulny, Maximilian (2021): Untersuchung der Wachstumsbedingungen von Gd2O3-Schichten auf virtuellen SiGe-Substraten, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Fawaz, Ali (2021): Untersuchung des Einflusses der Prozessparameter auf die Silizidkontaktierung von MOS-Strukturen, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Nagel, Marlyn (2021): Optimierung der Schichteigenschaften von in situ Phosphor-dotierten Polysiliziumschichten, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Norberg, Jenny (2021): Photoelektronenspektroskopische Untersuchungen von SiGe-Schichten auf Si(111)-Substraten, Bachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Philipp, Yareck (2021): Epitaxie von Gd2O3- und verspannten Ge-Schichten auf virtuellen SiGe-Substraten, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Thiedke, Dominik (2021): Charakterisierung von Lift-Off Prozessen zur Festlegung von EntwurfsregelnMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Zheng, Kangen (2021): Simulation der Strom- Spannungs- Charekteristik von Solarzellen unter transienter BeleuchtungMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • aus der Fünten, Henrike Luise (2020): Co-Sputtern von insitu-dotierten Polysiliziumschichten für passivierende KontakteMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Salomon, Leon (2020): Untersuchung der wechselnden Sonneneinstrahlung in verschiedenen Fahrsituationen für VIPVBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Samast, Okan (2020): Untersuchung der Schichtbildungsvorgänge bei der Epitaxie von Gd2O3 auf Si(001)Bachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Yakubovsky, Nikita (2020): Preparation of test structures for characterization of carrier transport at oxide/Si(001) interfacesMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Audie Adam, Yeo (2019): High temperature stable passivation using Al2O3/SiNx stacks for textured p-type silicon surfacesMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Block, Henning (2019): Herstellung und Charakterisierung von Messstrukturen für Hall-Beweglichkeitsmessungen von Ladungsträgern an Oxid/Si-GrenzflächenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Börnert, Steffen (2019): Einfluss der Dotierung auf die elektrischen Eigenschaften von Poly-Gate-MOS-KondensatorenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Fawaz, Ali (2019): Untersuchung der Grenzflächeneigenschaften von Cu3(BTC)2 auf n-SiliziumsubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Franck, Max (2019): Einfluss der Prozessparameter auf die Wirkung von Kohlenstoff in der GermaniumepitaxieMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Genath, Hannah Naomi (2019): Kohlenstoff-unterstützte Epitaxie germaniumreicher SiGe-Schichten auf Si(111)-SubstratenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Gußahn, Alexander (2019): Untersuchung von hochdotierten GermaniumschichtenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Hillmer, Christoph (2019): Erarbeitung eines Prozessflusses für die Herstellung von polysiliziumbasierten Dünnschichttransistoren, MasterarbeitMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Kreitlow, Lucas (2019): Charakterisierung von epitaktischen Germaniumschichten mithilfe des Hall-EffektesBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Schwochow, Jan (2019): Untersuchung der Ladungsträgerbeweglichkeit von Polysiliziumschichten auf SiliziumdioxidMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Böckmann, Jonas Marius (2018): Untersuchungen zur Defektdichte von epitaktischen GermaniumschichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Borrmann, Fabian (2018): Untersuchung für einen durchstimmbaren Soft-Ionization Sensor für Umweltgase: Materialien und MesstechnikMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Brockmann, Tim Lukas (2018): Optische Charakterisierung von Komponenten neuartig verschalteter PhotovoltaikmoduleBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Cakmak, Merve Beyhan (2018): Elektrische Charakterisierung von Cu3(BTC)2 basierten MOS-KondensatorenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Krauße, Verena (2018): Elektrische Charakterisierung von pin-Dioden auf Basis von PolysiliziumMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Menze, Lukas (2018): Optimization of in situ Boron-Doped and LPCVD Deposited Polycrystalline SiliconBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Syring, Alina (2018): Strukturelle und elektrische Eigenschaften sauerstoffhaltiger polykristalliner Siliziumschichten für SiliziumsolarzellenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Barnscheidt, Yvo (2017): Kohlenstoff-unterstützte Epitaxie von Ge pin-Dioden für Photodetektoren auf Si(001)-SubstratenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Gribisch, Philipp (2017): Untersuchungen zum orientierten Wachstum von Gd2O3 auf Si(100)-SubstratenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Heine, Nils (2017): Elektrische Charakterisierung von Polysilizium basierten TunnelrekombinationsschichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Hillmer, Christoph (2017): Aufbau eines Tieftemperaturmessplatzes zur temperaturabhängigen elektrischen Chrakterisierung von SiliziumstrukturenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Köhnen, Eike (2017): Einfluss der Prozessparameter der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigen Drücken auf die Eigenschaften von PolysiliziumschichtenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Orlowski, Niklas (2017): Optische und elektrische Charakterisierung von mittels PECVD abgeschiedenen Al-dotierten ZinkoxidschichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Teubel, Stefan (2017): Optimierung der Epitaxie virtueller Si(0.5)Ge(0.5)-Substrate auf Si(111)Bachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • aus der Fünten, Henrike Luise (2016): Elektrische Charakterisierung von poly-/SiO2/c-Si-ÜbergängenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Budde, Melanie (2016): Untersuchung der Wachstumsbedingungen für nicht-kubisches GadoliniumoxidMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Dani, Olfa (2016): Elektrische Charakterisierung von Feuchtoxiden auf Silizium-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Dzinnik, Marvin (2016): Erstellung eines Ätzprozesses zum selektiven Ätzen von poly-Si/SiO2/c-Si ÜbergängenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Genath, Hannah (2016): Epitaxie von Gd2O3-Schichten auf virtuellen GaN-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Li, Bingrui (2016): Auslegung und Optimierung der elektrischen Messtechnik eines Prüfstandes zur beschleunigten Lebensdauertestung von aktiven ImplantatenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Margenfeld, Christoph (2016): Feinoptimierung der Ausheilbedingungen von ladungsträgerselektiven Kontakten auf Basis von PolysiliziumMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Schwochow, Jan (2016): Relaxation von SiGe-Schichten auf vorimplantierten Si(001)-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Slawig, Diana (2016): Einfluss der Substratorientierung auf die Kohlenstoff-modifizierte Epitaxie von Germanium auf SiliziumMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Vogler, Jakob (2016): Aufbau und Evaluation eines quasi-statischen Kapazitäts-Spannungs-MessplatzesBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Yakubovsky, Nikita (2016): Experimentelle Charakterisierung und numerische Simulation von p-i-n-Dioden in poly-Si-Hocheffizienz-SolarzellenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst
  • Barnscheidt, Yvo (2015): Herstellung und Charakterisierung von pn-Dioden auf Si-MesastrukturenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • David, Lasse (2015): Einfluss atomarer Stufen auf die Leckstromcharakteristik ultra-dünner Isolatorschichten auf SiliziumsubstratenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Eilert, Marius (2015): Charakterisierung von Si(1-x)Ge(x)-Schichten auf Si(001)-Substraten mittels spektroskopischer EllipsometrieBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Fendel, Andrej (2015): Untersuchung des Stromtransports in poly-Si/SiO2/Si-StrukturenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Frye, Johannes (2015): Untersuchung des Einflusses der ALD-Prozessparameter auf die optischen Eigenschaften von Al2O3-Schichten und deren Auswirkung auf die Passivierqualität solcher SchichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Gribisch, Philipp (2015): Realisierung von Teststrukturen zur elektrischen Charakterisierung von p-n-Übergängen auf Mesa-strukturierten Si-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Herbers, Sofia (2015): Untersuchungen zum Einfluss von Zwillingsübergittern auf den Ladungsträgertransport in Si-HalbleiterstrukturenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Kähler, Lars-Christian (2015): Präparation von virtuellen Germaniumsubstraten für die HeteroepitaxieBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Kaiser, Robert (2015): Herstellung und Charakterisierung von MOSFET-Teststrukturen auf Siliziumkarbid (SiC)Masterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Köhnen, Eike (2015): Parametrisierung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit von ionenimplantierten Al2O3-passivierten p+-EmitternBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Krauße, Verena (2015): Oberflächenpassivierung von n-Typ Siliziumoberflächen für fotovoltaische AnwendungBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Liu, Haiyue (2015): Magnetotransport an 2D Pb-Phasen auf Si(111)Masterarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Shaulov, Daniil (2015): Evaluierung der AFM-Untersuchung von Halbleiter- und IsolatoroberflächenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Sufis, Nico (2015): Charakterisierung epitaktischer Schichten mittels DefektätzenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Chen, Yijun (2014): Einfluss der Substrattemperatur auf die Surfactant-modifizierte Epitaxie von dicken (~500 nm) Germaniumschichten auf Si(001)Masterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Golly, Felix (2014): Optimierung hochleitfähiger CNT-Silikonkomposite im elektrophoretischen Feld für medizinische AnwendungenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Gribisch, Philipp (2014): Herstellung stufenfreier Mesa-Strukturen auf Silizium(111)-Oberflächen mit MolekularstrahlepitaxieStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Honkomp, Tobias (2014): Auswirkungen der Ausheilung von BF2-implantierten Bor-Emittern für die Si-basierende PhotovoltaikBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Karakas, Timur (2014): Untersuchung der Ausheilung von Ionen-implantierten Bor-Emittern für die Si-basierende PhotovoltaikBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Margenfeld, Christoph (2014): Strukturelle und elektrische Charakterisierung verspannter GadoliniumoxidschichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Margenfeld, Christoph (2014): Charakterisierung der Eigenschaftsänderungen von Gadoliniumoxidschichten bei verschiedenen WachstumstemperaturenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Meinen, Sven (2014): Parylenverkapselung von polymerbasierten DünnfilmneuroimplantatenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Möllers, Matthias (2014): Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchung von Defekten an SiGe/Si-GrenzflächenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Neumann, Lutz (2014): Charakterisierung der Kristallisation amorpher SiliziumschichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Pham, Hoang Duc (2014): Einfluss der Substrattemperatur auf die Surfactant-modifizierte Epitaxie dünner (~2nm) Germanium-Schichten auf Si(001)Bachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Rose, Lukas (2014): Schnelle Ausheilung ionenimplantierter SiO2-gedeckelter Bor-EmitterBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Stöckmann, Jan Philipp (2014): Evaluation von PECVD-Prozessen für die Herstellung von Si3N4-SchichtenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Stöckmann, Jan Philipp (2014): Untersuchung des Stranski-Krastanov-Wachstumsmodus von Ge auf Si(111)Studienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Weißbrich, Moritz (2014): Ramanspektroskopische Untersuchung von Si(1-x)Ge(x)-Schichten auf Si(001)-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Wetzel, Gustav (2014): Untersuchung der Ladungsträgerbeweglichkeit von epitaktischen Schichten auf SiliziumMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Zoumboulis, Konstantinos (2014): Untersuchung des Einflusses der Wachstumstemperatur auf die Schichtspannungen bei epitaktisch gewachsenen Seltene Erden OxideBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Brechtken, Benedikt (2013): Entwicklung von Teststrukturen zur Bestimmung der Ladungsträgerbeweglichkeit an Silizium-IsolatorheteroübergängenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Budde, Melanie (2013): Programmierung einer Software zur automatisierten Auswertung von Kapazitäts-Spannungs-Messungen an MOS-Strukturen in MapleStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Fauser, Anton (2013): Evaluierung von Isolatoren auf SiliziumsubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Grimm, Andreas (2013): Einfluss der Wachstumstemperatur auf die Epitaxie von Germanium auf SiliziumMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Kaiser, Robert (2013): Charakterisierung von epitaktischen Seltene Erden Oxiden auf virtuellen Germanium-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Reimers, Christian (2013): Herstellung und Charakterisierung n-dotierter Epitaxieschichten auf SiliziumsubstratenMasterarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Rose, Lukas (2013): Thermische Oxidation von Silizium: Vergleich der Passivierqualität für Rohrofen- und Schnellheizofen-OxidationStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Ruhkopf, Jasper (2013): Molekularstrahlepitaxie von Germanium auf vizinalen SiliziumsubstratenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Schliebitz, Alexander (2013): Herstellung und Charakterisierung von pn-DiodenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Schmidt, Jan (2013): Epitaxie von Germanium auf virtuellen Si(1-x)Ge(x)-SubstratenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Zoumboulis, Konstantinos (2013): Untersuchungen zum Einfluss von thermisch induzierten Schichtspannungen auf epitaktische Seltene Erden OxideStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • David, Lasse (2012): Siliziumhomoepitaxie auf mesastrukturierten SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Ehlig, Tino (2012): Thermomigration in MetallisierungsstrukturenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Weide-Zaage
  • Funk, Dominik (2012): Entwicklung eines Prozesses für die Herstellung von MOSFET's mit high-k-Dielektrika auf Germanium-SubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Gußahn, Alexander (2012): Charakterisierung von Defektätzverfahren für Epitaxieschichten auf SiliziumsubstratenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Möllers, Matthias (2012): Hauchdünne Ge-Pufferschichten für relaxierte SiGe Schichten auf Si(001) SubstratenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Schliebitz, Alexander (2012): Herstellung und Charakterisierung p-dotierter Epitaxieschichten auf SiliziumsubstratenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Schmidt, Jan (2012): Wachstum und Charakterisierung von SiGe Schichten auf Si(001) SubstratenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Thomas, Martin (2012): Phosphor-dotierte polySi Kontaktstrukturen für SolarzellenanwendungenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Harder
  • David, Lasse (2011): Untersuchung von Plasmaätzprozessen für nanometergenauen SchichtabtragStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Wietler
  • Funk, Dominik (2011): Herstellung und Charakterisierung von kristallinen Siliziumfilmen auf Glas für DünnschichtsolarzellenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Harder
  • Grimm, Andreas (2011): Charakterisierung des Spannungseinflusses auf Seltenen Erden OxidenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Grimm, Andreas (2011): Vergleichende Charakterisierung von OberflächenrauheitenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Rehberg, Max (2011): Herstellung stufenfreier Mesa-Strukturen auf Si(111)Bachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Rehberg, Max (2011): Vergleichende Untersuchung lateraler Abmessungen von lithografischen Strukturen im sub-MikrometerbereichStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Wetzel, Gustav (2011): Epitaxie von Seltenen Erden Oxiden auf verschiedenen HalbleiteroberflächenBachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Wetzel, Gustav (2011): Charakterisierung ultra-dünner Schichten mittels Röntgenreflektometrie und spektraler EllipsometrieStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Whalley, Simon (2011): Modifizierung der Grenzflächeneigenschaften von Isolator/SiC-Strukturen für Hochleistungsanwendungen in der ElektronikDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Darmawi, Caesario (2010): Untersuchung von Migrationseffekten in MehrfachviastrukturenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Li, Yue (2010): Migrationseffekte in Metallisierungsstrukturen unter Berücksichtigung der KornstrukturStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Ruhkopf, Jasper (2010): Entwicklung von Verfahren zur Erzeugung von MESA-StrukturenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Beste, Matthias (2009): Untersuchung der elektrischen Eigenschaften der Grenzfläche zwischen SME-Ge und SiDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Erenburg, Milena (2009): Tiefenprofilierung der Trapdichte im Tunneloxid von Ge-Nanoclusterspeichern mit Charge-Pumping-MessungenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Jestremski, Marcel (2009): Charakterisierung von epitaktischen Oxid/Silizium-Heterostrukturen auf Silizium für nanoelektronische AnwendungenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Meinshausen, Lutz (2009): Migrationsuntersuchungen von Verbindungen in modernen GehäusenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Ruhkopf, Jasper (2009): Entwicklung von Verfahren zur Erzeugung von MESA-StrukturenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Turewicz, Peter (2009): SiGe SME-p-dotiertes Germanium auf Si(001)Diplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Wang, Chao (2009): Charakterisierung industriell applikativer NanointerconnectsystemeDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Yildirim, Özgür (2009): Untersuchung zur Rissbildung in Barrierenschichten mikroelektronischer SchaltungenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Chen, Xiao (2008): Simulation des Herstellungsprozesses eines MOS-Transistors mit SILVACODiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Erenburg, Milena (2008): Vergleich der Elektronen- und Löcher-Speichereigenschaften von Ge Nanoclustern in SiO2Studienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Han, Kai (2008): Entwicklung eines maskenlosen Herstellungsprozesses für MOSFETs mit Hilfe der Laser-LithografieDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Jestremski, Marcel (2008): Untersuchung des Einflusses der Substratvorspannung während der Herstellung auf die elektrischen Eigenschaften von epitaktischem GadoliniumoxidStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Karaman, Zeki (2008): Herstellung und Charakterisierung thermischer Oxidschichten auf Silizium mittels verschiedener FeuchtegradeStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Kashanchi, Farzan (2008): Untersuchung der erzwungenen Voidentwicklung in modernen KupfermetallisierungenDiplomarbeit, Erstprüfer Prof. Osten
  • Krügener, Jan (2008): Epitaxie und elektrische Charakterisierung niedrig-dimensionaler Schichtstrukturen auf SiliziumDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Fissel
  • Krügener, Jan (2008): Implementation einer UV-Lichtquelle in eine UHV-Anlage zur Realisierung von photoelektron-spektroskopischen Untersuchungen an elektronischen MaterialienStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Meinshausen, Lutz (2008): Migrationsberechnungen in modernen Kupfermetallisierungen mit unterschiedlicher TexturStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Mikulski, Sebastian (2008): Messung der thermischen Leitfähigkeit von dünnen isolierenden Schichten auf SiliziumsubstratenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Rehli, Johannes (2008): Optimierung und Charakterisierung von siliziumreichem LPCVD-NitridStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Rehli, Johannes (2008): Untersuchung der Grenzflächeneigenschaften von stickstoff-passivierten Germaniumoberflächen für Metall-Oxid-Halbleiterstrukturen mit High-k-MaterialienDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Rendel, Torsten (2008): Experimentelle Ermittlung der Prozessparameter für die Ionenimplantation von Arsen und Bor in GermaniumStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Stange, Martin (2008): Hochtemperaturverhalten von ultradünnen kristallinen Schichtstapeln auf SiliziumDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Tetzlaff, Dominic (2008): Beeinflussung des Spannungszustands von kristallinen Halbleiterschichten durch den Einbau von FremdatomenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Tetzlaff, Dominic (2008): Untersuchung der thermischen Stabilität von epitaktischem Gadoliniumoxid auf SiliziumStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Wang, Linyan (2008): Migrationsuntersuchung von LöthöckernDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Zhao, Jiani (2008): Migrationsberechnungen einer sub-µ Multilevelmetallisierung mit Berücksichtigung des HerstellungsprozessesDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Kashanchi, Farzan (2007): 3D-Simulation des Einflusses von Punktladungen auf den Drainstrom in ultrakurzen MOSFETsStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Kias, Christian (2007): Ermittlung der Ladungsträgerbeweglichkeiten im Inversionskanal von MOS-Strukturen mit Hilfe der Spilt-CV-MethodeStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Mikulski, Sebastian (2007): Einfluss der unteren Leitbahndimensionierung auf das Migrationsverhalten einer ZweilagenmetallisierungStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Tetzlaff, Dominic (2007): Untersuchung der thermischen Stabilität von epitaktischem Gadoliniumoxid auf SiliziumStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Wang, Linyan (2007): Simulationsuntersuchung hinsichtlich der Migration in Kupferverbindungen im Zusammhang mit LöthöckernStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Zhang, Hong (2007): Aufbau und Inbetriebnahme eines Hochvakuum-Elektronenstrahlverdampers für die Herstellung von High-k-Materialien auf SME-GermaniumDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Zhang, Lei (2007): Modellierung und Optimierung einer industriell applikativen sub-µ MultiviastrukturDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Zhao, Jiani (2007): Simulation der Stressverteilung in einer Zweilagenkupfermetallisierung mit Hilfe des „Birth and Die Algorithmus“ in ANSYSStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Han, Kai (2006): Charakterisierung und Optimierung von gesputterten HfO2-Schichten für den Einsatz als high-k-GatedielektrikumStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Kühne, Dirk (2006): Herstellung und Evaluation von Seltenen Erden Oxiden hinsichtlich ihrer Eignung für nanoelektronische BauelementeDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Lewerenz, Matthias (2006): Wachstum von verspannten SiGe-Schichten auf Silizium für nanoelektronische AnwendungenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Zhang, Hong (2006): Etablierung der Proximity-Belichtung im Positiv- und Image-Reversal-ProzessStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Balaceanu, Cristian (2005): Elektrische Charakterisierung von MOS-Feldeffekttransistoren auf Wafer-Ebene im Temperaturbereich von 200 °CDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Elassar, Zeyad (2005): Untersuchungen der Grenzflächeneigenschaften Si/Metalloxid mittels PhotoelektronenspektroskopieDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Lewerenz, Matthias (2005): Erarbeitung von Steueralgorithmen und Inbetriebnahme einer Molekularstrahl-Epitaxie-Erarbeitung von SiliziumhalbleitertechnologieStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Thiele, Cornelia (2005): Charakterisierung und Modellierung von integrierten passiven BauelementenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Jnawali, Giriraj (2004): Herstellung und Charakterisierung von Metallkontakten für die Molekularelektronik mit Abständen im nm-BereichDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Kerker, Oliver (2004): Optimierung eines Herstellungsprozesses für MIS-Transistoren zur Verwendung in der Si-Ge-TechnologieDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Kühne, Dirk (2004): Herstellung und Untersuchung von Metallkontakten zur Chrakterisierung von GatedielektrikaStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Osten
  • Thiele, Cornelia (2004): Aufbau und Inbetriebnahme eines vollautomatischen Hallmessplatzes für temperatur- und magnetfeldabhängige MessungenStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Binke, Martin (2002): Charakterisierung siliziumreichen SixOy-Systemen für den Einsatz in der Nano-Cluster-SpeichertechnologieDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Hartlep, Jens (2002): Simulation von Stromdichte- und Temperaturverteilung in einer Cu-LeitbahnStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Kerker, Oliver (2002): Charakterisierung und Optimierung von SiO2-Schichten mit BTBAS als Precusor für den Einsatz in der Nano-Cluster-SpeichertechnologieStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Kim, Il-Han (2002): Entwicklung einer Steuerungs- und Auswertungssoftware für Mehrkanalofenmessplätze mit der Programmierumgebung LabViewStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Mirza, Farrukh (2002): Herstellung und Charakterisierung dünner Gateisolatoren für Germanium MIS-StrukturenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Ott, André (2002): Charakterisierung von SiO2-Isolatorsystemen für den Einsatz in der Nano-Cluster-SpeichertechnologieDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Ott, Andrè (2002): Experimentelle Ermittlung der Designparameter eines Si/Ge-MOS-Prozesses in Mix&Match und Entwurf einer zugehörigen TechnologiebibliothekStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Zörner, Patrick (2002): Charakterisierung von Kupferleitbahnen mittels Hochtemperaturmessung und Anpassung verschiedener theoretischer Wärmeleitmodelle an die TeststrukturStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Aubel, Oliver (2001): Untersuchungen zur Entwicklung eines sub-um-Gate-Prozesses zum Einsatz in einem Si/Ge-MOSFET mit ultrakurzem GateDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Knobloch, Ulrich (2001): Herstellung und Charakterisierung von integrierten Hochfrequenzspulen mit magnetischem KernDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Aubel, Oliver (2000): Herstellung und Charakterisierung dünner SiCN-Schichten für Anwendungen in der integrierten Sensorik und MikromechanikStudienarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Beyer, Volkhard (2000): Einfluss von uni- und bipolarem Stress auf die elektronischen Eigenschaften von dünnen, nitridierten TunneloxidenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann
  • Hubensack, Ralph (2000): Simulation von Temperaturverteilungen in einem Via in einer Kupfermetallisierung mit verschiedenen BarrieresystemenDiplomarbeit, Erstprüfer: Prof. Hofmann