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Logo: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
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Forschung

Es gibt gegenwärtig folgende Forschungsschwerpunkte am Institut:

  • Kristalline Oxide auf Silizium
    • High-K Gate Dielektrika
    • Lokales SOI, Tunnelstrukturen und -bauelemente, ….
    • Spannungs- und Dotierungseffekte auf dielektrische Eigenschaften
       
  • SiGe und Ge Epitaxie auf Si
    • Herstellung von glatten, defektarmen Germaniumschichten auf Silizium durch den Einsatz der "Surfactant-modifizierten Epitaxie" (SME) bzw. der kohlenstoffbestimmten Ge-Epitaxie (CME)
    • Strukturelle und elektrische Eigenschaften von Ge- und SiGe-Schichten
    • Integrierte Ge Photodetektoren auf Si 
    • Ge-Hochbeweglichkeitskanäle für MOSFETs
       
  • Silizium Polytypismus
    • Kristallstrukturengineering anstelle von Materialengineering
    • Herstellung von stufenfreien Si-Oberflächen
       
  • Nutzung des Halbleitertechnologie Know-Hows für hocheffiziente Solarzellen
    • Ionenimplantation für Si-Solarzellen
    • Effektive Passivierungskonzepte