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Fakultät für Elektrotechnik und Informatik
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Nanowire Field Effect Transistor with epitaxial Gd2O3 as wraparound gate oxide
Nanowire Field Effect Transistor with epitaxial Gd2O3 as wraparound gate oxide
Leitung:
Prof. H. Jörg Osten
Jahr:
2020
Förderung:
DAAD
Laufzeit:
2020 - 2023
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