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Grundlagen der Halbleiterbauelemente (Wintersemester 2016/2017)

Prof. Osten, mit wiss. Mitarbeiter

Inhalt

  • Entwicklung der Halbleiterelektronik
  • Bandstruktur von Halbleitern
  • Halbleitermaterialien: Herstellung, Dotierung usw. am Beispiel von Silizium
  • Ladungsträger: Verteilung, Generation/Rekombination, Transport
  • Halbleiter im Kontakt: pn-Übergang, Dioden, Solarzellen
  • Grundprinzipien von Transistoren: Bipolar und Feldefffekttransistor
  • Grundprinzipien von Speicherzellen
  • Optoelektronische Bauelemente: LED und Laser
  • Weitere Anwendungen: Extreme Umgebung, Leistungselektronik, Sensorik usw.
  • Herstellung von Bauelementen: Silizium-Technologie im Überblick
  • Zukünftige Entwicklungen der Elektronik

Vorlesung (Wintersemester 2016/2017)

Vorlesungsbeginn: 19.10.2016

Zeit: mittwochs von 10:15 - 11:45 Uhr

Ort: Hörsaal 031, Gebäude 3702, Schneiderberg 32

Übung (nur für Studierende der Nanotechnologie)

Zeit: dienstags, 16:00 - 17:30 Uhr, 14-täglich, erster Termin 01.11.2016.

Ort: Hörsaal 031, Gebäude 3702, Schneiderberg 32

Übungsbetreuer

Dipl.-Ing. Oliver Kerker

Vorlesungsunterlagen

Ergänzende Unterlagen finden Sie hier.

Prüfungstermine (Sommersemester 2017)

Wichtiger Hinweis!

28.08.2017, 10:00 Uhr in Raum B1, Bismarkstraße 2.

Klausurergebnisse (Sommersemester 2017)

Die Klausurergebnisse sind hier zu finden.