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MOS-Transistoren und Speicher (Sommersemester 2017)

Prof. WietlerPerson, mit wiss. Mitarbeiter

Diese zweistündige Vorlesung wird im Sommersemester gelesen und durch eine einstündige Übung ergänzt. Die Vorlesung ergänzt die Vorlesung Bipolarbauelemente, die im Wintersemester gelesen wird. Sie baut auf den Vorlesungen Grundlagen der Halbleiterbauelemente und Grundlagen der Materialwissenschaften auf und konzentriert sich im Wesentlichen auf die Diskussion Silizium-basierter Halbleiterbauelemente. Als erstes werden die Eigenschaften des MOS1-Systems anhand des MOS-Kondensators erarbeitet, ehe der MOSFET eingeführt wird. Im Folgenden werden Modelle für die verschiedenen Bereiche der Stromspannungskennlinie vorgestellt und die Probleme bei der Skalierung moderner MOSFETs, wie z.B. Kurzkanaleffekte, angesprochen. Den abschließenden Schwerpunkt bilden MOS-basierte Speichertechnologien, wie SRAM, DRAM, CCD und Flash-Speicher. Dabei schlägt die Vorlesung immer wieder die Brücke zwischen den grundlegenden Eigenschaften zu Lösungen für extrem skalierte Bauelemente.

1nach dem Englischen: Metal-Oxide-Semiconductor, deutsch: Metall-Oxid-Halbleiter

Inhalt

  • Die MOS-Diode
  • Der MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET)
  • Speicher- und Ladungsverschiebungselemente (DRAMs, EPROMs, CCDs, u.a.)

Vorlesung

Beginn: 12.04.2017

Zeit: mittwochs von 10:15 - 11:45 Uhr

Ort: Hörsaal 031, Gebäude 3702, Schneiderberg 32

Übung

Beginn: Termin wird noch bekannt gegeben

Zeit: freitags von 13:30 - 15:00 Uhr, 14-täglich

Ort: Hörsaal 031, Gebäude 3702, Schneiderberg 32

Vorlesungsunterlagen

Weitere Informationen finden Sie im Stud.IP

Prüfungstermine

Nach Absprache mit dem Dozenten.