Logo Leibniz Universität Hannover
Logo: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Logo Leibniz Universität Hannover
Logo: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
  • Zielgruppen
  • Suche
 

Projekte

III-V-Integration auf virtuellen Germaniumsubstraten

Bild zum Projekt III-V-Integration auf virtuellen Germaniumsubstraten

Leitung:

T. Wietler

Bearbeitung:

A. Grimm

Förderung durch:

Hannover School of Nanotechnology

Kurzbeschreibung:

Die Integration von Materialien wie GaAs in Si-basierten III-V-Tandemsolarzellen könnte die “ultimative photovoltaische Lösung” (aus dem Englischen: Silicon wafer-based tandem cells: The ultimate photovoltaic solution?) zur weiteren Steigerung des Wirkungsgrads von Si-Solarzellen sein. Dazu muss eine Verknüpfung der etablierten und kostengünstigen Großserienproduktion Si-basierter Solarzellen mit der technisch ausgereiften, aber bisher weitaus kostenintensiveren Herstellung hocheffizienter III-V-Tandemsolarzellen gelingen.

 

| details |

 

Einfluss von virtuellen Substraten auf das Wachstum von Seltene Erden Oxiden

 

Leitung:

H. J. Osten

Bearbeitung:

J. Schmidt

Kurzbeschreibung:

Das MBE-Institut beschäftigen seit mehreren Jahren mit dem epitaktischen Wachstum von kristallinen Seltenen-Erden-Oxiden auf Si-Substraten. Als Modellsysteme werden dabei die Sesquioxide Gadoliniumoxid (Gd2O3) und Neodymoxid (Nd2O3) untersucht. Beide Oxide treten in dergleichen kristallografischen Struktur auf, wobei Gd2O3 einen kleineren Gitterabstand als Silizium aufweist während Nd2O3 größer als Silizium ist. In der Vergangenheit wurden ternäre Mischschichten der Form (Gd1-xNdx)2O3 (mit x = 0…1) auf Silizium gewachsen, d.h. die Gitterfehlanpassung konnte durch die Wahl der Zusammensetzung durchgestimmt werden.

 

| details |

 

Smart formation of poly/mono-crystalline Si junctions using local doping techniques

 

Leitung:

J. Krügener

Bearbeitung:

J. Krügener

Laufzeit:

August 2014 - Juli 2017

Förderung durch:

BMWi

Kurzbeschreibung:

Die weitere Wirkungsgradsteigerung von industrietypischen Solarzellen wird wesentlich durch die Rekombination an den Metallkontakten limitiert. Ein vielversprechender, in der Mikroelektronik bereits etablierter Ansatz zur Minimierung der Kontaktrekombination ist die Nutzung von Übergängen aus Nanometer-dünnem Siliziumdioxid das mit einer Schicht aus Polysilizium (poly-Si) gedeckelt ist.

 

| details |

 

Optionen zur Realisierung von Si-Solarzellen mit Effizienzen über 26%

Bild zum Projekt Optionen zur Realisierung von Si-Solarzellen mit Effizienzen über 26%

Leitung:

J. Krügener

Bearbeitung:

R. Zieseniß, G. Glowatzki

Laufzeit:

Juli 2015 - Juni 2018

Förderung durch:

BMWi

Kurzbeschreibung:

Im Rahmen des „26+“-Projekts sollen „Leuchtturmeffizienzen“ von über 26% erreicht werden. Aktuell wäre dies ein neuer Wirkungsgradrekord für Si-Solarzellen mit nur einem pn-Übergang. Während der Projektlaufzeit sollen „Schlüsselschritte“ in der Prozesssequenz mit industrierelevanten Verfahren realisiert werden, so dass die deutsche PV-Industrie zeitnah von dem in „26+“ generierten Wissen profitieren kann.

 

| details |

 

Untersuchungen zu elektronischen und elektrischen Eigenschaften von Si-Zwillingsübergittern in Si-Halbleiterstrukturen auf stufenfreien Si(111)-Mesas

Bild zum Projekt Untersuchungen zu elektronischen und elektrischen Eigenschaften von Si-Zwillingsübergittern in Si-Halbleiterstrukturen auf stufenfreien Si(111)-Mesas

Leitung:

A. Fissel

Bearbeitung:

L. David

Laufzeit:

April 2014 - März 2017

Förderung durch:

DFG

Kurzbeschreibung:

Im Rahmen des durch die DFG geförderten Projektes sollen neuartige Heterostrukturen (heteropolytypische Strukturen) bzw. Übergitter (Zwillingsübergitter) auf der Basis eines kontrollierten Einbaus von Zwillingsstapelfehlern in Si-Schichten hergestellt und deren physikalische Eigenschaften genauer untersucht werden.

 

| details |

 

Cost-efficient High-throughput Ion-Implantation for Photovoltaics - CHIP

Bild zum Projekt Cost-efficient High-throughput Ion-Implantation for Photovoltaics - CHIP

Leitung:

J. Krügener

Bearbeitung:

M. Jestremski, A. Klatt

Laufzeit:

Juli 2012 - Juni 2015

Förderung durch:

BMWi

Kurzbeschreibung:

Im Rahmen des CHIP-Projekts soll die Technologie der Ionen-Implantation und deren Anwendbarkeit für die Herstellung von kristallinen Siliziumsolarzellen untersucht werden.

 

| details |