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Journal

F. Haase, S. Schäfer, C. Klamt, F. Kiefer, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2018): Perimeter Recombination of 25 %-Efficient IBC Solar Cells With Passivating POLOContacts for Both Polarities, IEEE Journal of Photovoltaics 8 (2018) 23
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2017.2762592

H. S. Laine, V. Vähänissi, Z. Liu, E. Magana, J. Krügener, A. E. Morishige, K. Salo, B. Lai, H. Salvin, D. P. Fenning (2018): Elucidation of Iron Gettering Mechanisms in Boron-Implanted Silicon Solar Cells, IEEE Journal of Photovoltaics 8 (2018) 79
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2017.2775159

L. M. Montanez, K. Müller, L. Heinke, H. J. Osten (2018): Integration of thin film of metal-organic frameworks in metal-insulator-semiconductor capacitor structures, Microporous and Mesoporous Materials 265 (2018) 185
DOI: 10.1016/j.micromeso.2018.02.018

R. Peibst, L. Larionova, S. Reiter, T. Wietler, N. Orlowski, S. Schäfer, B. Min, M. Stratmann, D. Tetzlaff, J. Krügener, U. Höhne, J.-D. Kähler, H. Mehlich, S. Frigge, R. Brendel (2018): Building blocks for industrial, screen-printed double-side contacted POLO cells with highly transparent ZnO:Al layers, accepted in IEEE Journal of Photovoltaics
DOI: 10.1109/JPHOTOV.2018.2813427

Konferenzbeiträge

F. Haase, C. Klamt, S. Schäfer, A. Merkle, M. Rienäcker, J. Krügener, R. Brendel, R. Peibst (2018): Laser Contact Openings for Local Poly-Si-Metal Contacts, 8th International Conference on Silicon Photovoltaics (8th SiliconPV), Lausanne, Switzerland, 19. - 21.03.2018

J. Schmidt, D. Tetzlaff, T. F. Wietler, H. J. Osten (2018): Carbon-mediated epitaxy of SiGe virtual substrates on Si(001), 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference, Potsdam, Germany, 27. - 31.05.2018

K. R. Khiangte, J. S. Rathore, J. Schmidt, H. J. Osten, A. Laha, S. Mahapatra (2018): Molecular beam epitaxy of wafer-scale all-epitaxial GeSn-on-insulator on Si(111) , 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference, Potsdam, Germany, 27. - 31.05.2018

T. Wietler, D. Tetzlaff, A. Feldhoff, Y. Larionova, M. Turcu, S. Reiter, B. Min, R. Brendel, R. Peibst (2018): Formation of a Resistive SiOx Layer at the Interface of Poly-Si to Aluminum-Doped Zinc Oxide, 8th International Conference on Silicon Photovoltaics (8th SiliconPV), Lausanne, Switzerland, 19. - 21.03.2018

Y. Barnscheidt, J. Schmidt, G. Wetzel, D. Tetzlaff, T. Wietler, H. J. Osten (2018): Highly Boron Doped Germanium grown by Carbon-Mediated-Epitaxy, 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference, Potsdam, Germany, 27. - 31.05.2018

Abschlussarbeiten

Brockmann, Tim Lukas (2018): Optische Charakterisierung von Komponenten neuartig verschalteter Photovoltaikmodule, Bachelorarbeit, Erstprüfer: Prof. Peibst