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Bipolarbauelemente (Wintersemester 2017/2018)

Prof. Wietler, mit wiss. Mitarbeiter

Diese zweistündige Vorlesung wird im Wintersemester gelesen und durch eine einstündige Übung ergänzt. Sie ergänzt die Vorlesung MOS-Transistoren und Speicher, die im Sommersemester gelesen wird. Die Vorlesung baut auf den Vorlesungen Grundlagen der Halbleiterbauelemente und Grundlagen der Materialwissenschaften auf und konzentriert sich im Wesentlichen auf die Diskussion Silizium-basierter Halbleiterbauelemente. Zu Beginn werden die Grundlagen der Halbleiterphysik, speziell hinsichtlich Bandstruktur, Ladungsträgerkonzentration im intrinsischen und dotierten Halbleiter, Ladungstransport sowie Generation und Rekombination von Ladungsträgern aufgefrischt und vertieft. Danach folgt die Behandlung des statischen und dynamischen Verhaltens der pn-Diode, ehe die Eigenschaften von Metall-Halbleiter-Übergängen diskutiert werden. Die anschließende Betrachtung der Halbleiterheteroübergänge bezieht auch die optoelektronischen Anwendungen, wie LED und Laser, mit ein. Die Charakteristika verschiedener anwendungsspezifischer Diodentypen werden in einer gesonderten Vorlesung durch die Studierenden selbst vorgestellt. Die entsprechenden Präsentationen bereiten die Studierenden in etwa vier Wochen auf freiwilliger Basis vor. Als weiterer Schwerpunkt werden Bipolartransistoren behandelt, wobei neben dem grundlegenden Funktionsprinzip, das sich aus der pn-Diode ableitet, das statische und dynamische Verhalten anhand von einfachen Modellen vorgestellt werden. Den Abschluss bildet die Vorstellung von Heterobipolartransistoren.

Inhalt

  • Physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik
  • pn- und Metall/Halbleiter-Übergänge
  • statische und dynamische Eigenschaften des Bipolartransistors

Vorlesung

Vorlesungsbeginn: 17.10.2017

Zeit: dienstags von 13:30 - 15:00 Uhr

Ort: Hörsaal 031, Gebäude 3702, Schneiderberg 32

Übung

Zeit: freitags von 13:15 - 14:45 Uhr, 14-täglich

Ort: Hörsaal 031, Gebäude 3702, Schneiderberg 32

Übungsbetreuer: Jan Krügener

Vorlesungsunterlagen

Weitere Informationen finden Sie im Stud.IP

Prüfungstermine

Nach Absprache mit dem Dozenten.