Das MBE nimmt in diesem mit einem Vortrag an der International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICS) / International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) in Como, Italy, vom 21. bis zum 25. Mai 2023 teil.
Frau Hannah Genath wird einen Vortrag mit dem Titel "Growth of Nd₂O₃ layers on germanium-rich, (111)-oriented SiGe layers" halten.
Weitere Informationen sind auf der Konferenzwebseite zu finden.
